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Teilvorhaben: GaN-Epitaxie und Technologie für Leistungswandler von Morgen

Description: Das Projekt "Teilvorhaben: GaN-Epitaxie und Technologie für Leistungswandler von Morgen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von United Monolithic Semiconductors GmbH durchgeführt. Ziel der UMS ist es, innerhalb des Projekts die zu erforschende Prozess-Technologie von Anfang an auf ihre industrielle Verwertung hin zu beurteilen und somit den beteiligten Wissenschaftlern von IAF und FBH eine entsprechende Rückmeldung zu geben. In dem vorliegenden Antrag ist die Rolle der UMS auf eine eher beratende Tätigkeit reduziert, um zum einen die Rückmeldung von einem erfahrenen Halbleiterhersteller sicherzustellen und dennoch den Spielraum der Forscher nicht zu sehr von rein ökonomische Fragestellungen wie Ausbeute etc. einzuengen. Die Beurteilung soll durch die Prozessierung erfolgversprechender Epi-Wafer bei der UMS erfolgen, wobei die Prozessierung nur einige Prozess-Schritte umfassen soll. Dabei soll die maximale Durchbruchspannung mit den Ergebnissen der Institute verglichen werden und dabei die Prozess-Kompatibilität betrachtet werden.

Types:

SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Elektrotechnik ? Bewertung ? Energietechnik ? Produktionstechnik ? Halbleiter ? Wirtschaftliche Aspekte ? Kompatibilität ? Effizienzsteigerung ? GaN-Technologie ?

Region: Baden-Württemberg

Bounding box: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2010-06-01 - 2013-05-31

Resources

Status

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