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Galvanische Abscheidung von Verbindungshalbleitern

Description: Das Projekt "Galvanische Abscheidung von Verbindungshalbleitern" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Technische Universität Darmstadt, Institut für Chemische Technologie durchgeführt. Zielsetzung: Im Verlauf des Projektes soll geklaert werden, ob und unter welchen Bedingungen Halbleiter, fuer die Herstellung photovoltaischer Elemente, flaechenhaft auf geeignete Substratmaterialien abgeschieden werden koennen. In diesem Rahmen sollen die halbleitenden Verbindungen Cu2S, ZnTe, CdTe und CuInSe2, untersucht werden. Arbeitsprogramm: Cu2S wird durch anodische Oxidation auf ein Kupfersubstrat aufgebracht. Der Cu2S-Wachstumsmechanismus soll genau untersucht werden, um mit den daraus gewonnenen Informationen Abscheidungsbedingungen fuer ein stoechiometrisches Cu2S-Wachstum zu erhalten. Die kathodische Koabscheidung des ternaeren Verbindungshalbleiters CuInSe2 soll systematisch untersucht werden, um eine Abschaetzung dafuer zu liefern, ob die galvanische Herstellung der ternaeren Verbindung eine konkurrenzfaehige Moeglichkeit zu den herkoemmlichen physikalischen Prozessen darstellt. ZnTe-Schichten sollen ebenfalls kathodisch aus einem Bad abgeschieden werden, das Zinksulfat und Tellurit-Ionen enthaelt.

Types:

SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Kupfersulfid ? Zinksulfat ? Darmstadt ? Selenverbindung ? Tellurid ? Zinkverbindung ? Cadmiumverbindung ? Solarzelle ? Stöchiometrie ? Anorganische Verbindung ? Abscheidung ? Chemisches Verfahren ? Oxidation ? Halbleiter ? Physikalischer Vorgang ?

Region: Hessen

Bounding box: 9° .. 9° x 50.55° .. 50.55°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 1991-10-16 - 1993-09-30

Status

Quality score

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