Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Entwicklung von Hochdurchsatz inline-Anlagen für anodisch geätzte poröse Siliziumschichten" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Singulus Technologies AG - Niederlassung Fürstenfeldbruck durchgeführt. Ein wesentlicher Teilschritt der neuartigen EpiWafer-Technologie ist die Porosizierung eines Silizium-Saatwafers mittels elektrochemischen Ätzens zur Erzeugung einer Ablöseschicht. Das Vorhaben behandelt schwerpunktmäßig die Entwicklung und Konstruktion einer Inline-Produktionsanlage für die anodische Porosizierung von Silizium mit einem Durchsatz von größer als 6000 Wafern/Stunde. Damit ist es möglich, die EpiWafer-Technologie in die industrielle Anwendung zu überführen.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Substrat ? Elektrochemie ? Photovoltaik ? Silizium ? Solarzelle ? Ätzender Stoff ? Verfahrensoptimierung ? Kristallisation ? Produktionstechnik ? Verfahrenstechnik ? Bauelement ? Industrielles Verfahren ? Effizienzsteigerung ? Anlagentechnik ? Epitaxie ? Porosität ?
Region: Bayern
Bounding box: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2016-11-01 - 2018-10-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=0324135C (Webseite)Accessed 1 times.