Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Innovative Halbleiter" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Infineon Technologies AG durchgeführt. Aktuell wird erwartet, dass der Einsatz von Galliumnitrid-Leistungshalbleiter-Bauelementen auch in Solar- und Batteriewechselrichtern in den nächsten Jahren attraktiv und realisierbar werden wird. Für die praktische Umsetzung in entsprechende Gerätetechnik bestehen jedoch noch einige relevante technische Probleme, insbesondere bei der Realisierung von Lösungen für Wechselrichter im höheren Leistungsbereich. Vor dem Hintergrund des gemeinsamen Leitziels des Verbundvorhabens insgesamt, Lösungen für diese Herausforderungen zu erforschen und damit die Vorteile von GaN für die Photovoltaik-Wechselrichtertechnik zu erschließen, liegt in diesem Teilvorhaben von Infineon der Schwerpunkt auf der Integration von Galliumnitrid-Halbleitern in Rahmenmodule.
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Galliumnitrid ? Photovoltaik ? Batterie ? Bauelement ? Halbleiter ?
Region: Bayern
Bounding boxes: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2021-05-01 - 2024-04-30
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