Description: Das Projekt "Galiumnitridbasierte Leistungselektronikmodule für eine effiziente Elektromobilität - GanMobil, Teilvorhaben: Zuverlässigkeit von galliumnitridbasierten Umrichtermodulen" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Technische Universität Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik, Professur für Leistungselektronik.Im Projekt GaNMobil soll die Anwendung von GaN-Halbleiterbauelementen in Leistungselektronikmodulen für elektrische Antriebe in Elektrofahrzeugen erforscht werden. Dafür werden schnellschaltende GaN-Halbleiter auf Bauelementebene für diese Anwendung optimiert und in ein neuartiges Leistungselektronikmodul integriert. Mit einer sehr niederinduktiven Modulstruktur und einer gesinterten Aufbau- und Verbindungstechnik auf Folienbasis wird ein zuverlässiger und effizienter Betrieb in einem hochintegrierten Wechselrichter auch bei erhöhten Umgebungstemperaturen erreicht. Dafür beabsichtigen die Industire- und Forschungspartner systemgrenzen-übergreifend zukünftige Technologielösungen gemeinsam zu entwickeln, zu verifizieren sowie Optimierungsansätze abzuleiten und umzusetzen. Arbeitsplan: -Voruntersuchungen, Ermittlung von Testparametern zum Sicherstellung der Genauigkeit und Belastbarkeit der zu gewinnenden Ergebnisse -Aufbau eines Teststandes zur Beurteilung der Zunahme des sogenannten 'Current Collapse' sowie der Zunahme des R-DS,on -Ermittlung eines geeigneten Verfahrens zur Temperaturbestimmung über elektrische Parameter (bisher verwendete Verfahren sind bei GaN-Bauelementen kritisch und nicht zuverlässig) -Untersuchung von Trapping-Effekten -Testdurchführung feuchte Wärme (H3TRB), Einfluss von Temperatur und Feuchtigkeit auf Module -Testdurchführung Heißsperrdauertest (HTRB), Zuverlässigkeit der Randstrukturen und der Passivierungsschicht -Testdurchführung Lastwechseltest (PCT), Alterungsmechanismen und Abschätzung der Lebensdauer -Testdurchführung Gatestresstest (HTGB), Anstieg des Gateleckstromes.
SupportProgram
Origins: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Chemnitz ? Galliumnitrid ? Elektrizität ? Elektronik ? Materialschaden ? Belastbarkeit ? Elektroantrieb ? Elektrotechnik ? Materialprüfung ? Regeltechnik ? Temperatur ? Temperaturmessung ? Verfahrensparameter ? Bewertungsverfahren ? Elektrofahrzeug ? Messverfahren ? Modul ? Produktionstechnik ? Prüfparameter ? Elektromobilität ? Halbleiter ? Bauelement ? Feuchtigkeit ? Physikalische Größe ? Physikalischer Vorgang ? Effizienzsteigerung ? Digitale Technologien ? Dauerbelastung ? Belastungsanalyse ? Lebensdauer [Technik] ? Alterung ? Prüfstand ? Temperaturerhöhung ? Wechselrichter ? Zuverlässigkeit ?
Region: Sachsen
Bounding boxes: 10.40664° .. 10.40664° x 49.29433° .. 49.29433°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2016-11-01 - 2019-10-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=16EMO0209 (Webseite)Accessed 1 times.