Description: Das Projekt "Teilvorhaben: SiC-basierte Frequenzumrichter für die Medizintechnik^Teilvorhaben: Entwicklung von Ag-Sintermaterialien für die Kontaktierung von SiC Dies und Bodenplatten/Kühlkörpern^Teilvorhaben: Zwischenkreiskondensatoren für hohe Schaltfrequenzen, Temperaturen und Leistungen^Hochfrequenz-Hochstrom-Komponenten für den Einsatz in der Medizintechnik und Photovoltaik-Wechselrichtern der MW-Klasse - HHK^Teilvorhaben: Niederinduktive Module bzw. leistungselektronische Baugruppen mit SiC-Bauelementen für hohe Frequenzen, Temperaturen und Leistungen^Teilvorhaben: Niederinduktive Aufbautechnologien für Hochfrequenz-Hochstrom-Komponenten für den Einsatz in Photovoltaik-Wechselrichtern in der MW-Klasse^Teilvorhaben: Hocheffiziente PV-Wechselrichter der Multi-MW Klasse mit SiC Hochstrommodule^Teilvorhaben: Charakterisierung, Untersuchung der Höhenstrahlungsfestigkeit, Aufbau 100kW HSS, Teilvorhaben: Leiterplatten-Integrations-Technologie für Hochfrequenz-Hochstrom-Komponenten" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: CONTAG AG.1. Vorhabenziel Es werden neue Aufbau-und Verbindungstechnologien für schnell schaltende Leistungshalbleitermodule unter Verwendung von neuen SiC-Schaltern realisiert. Damit werden die Grundlagen gelegt, um die herausragenden Eigenschaften der SiC-Halbleiter auch im höheren Leistungsbereich für die Steigerung der Energieeffizienz und der Netzqualität zu nutzen. Die bei kleineren Leistungen bereits nachgewiesenen Vorteile bezüglich Wirkungsgrad und Systemkosten sollen auch für diese Anwendungen verfügbar gemacht werden, wobei die hohen Ströme und schnellen Schaltflanken Innovationen in der AVT erfordern. Die derzeit noch höheren Kosten für diese Halbleiter werden mit höheren Schaltfrequenzen durch kleinere passive Bauteile mehr als kompensiert werden. Außerdem wird der Aufwand für Kühlung und das Gerätevolumen sinken. 2. Arbeitsplan Der Arbeitsplan von CONTAG ist Teil des gemeinsamen Arbeitsplanes des Verbundvorhabens. Der Antragsteller wird sich auf folgende Schwerpunkte konzentrieren: Design und Entwicklung von Aufbauten und Technologien; Platzierung und Montage der Chips, Einbetten, Ankontaktierung, Thermisches Management; neue Materialien (z.B. Einbettmasse für Hochtemperatureignung); neue Fertigungstechnik und Prozessanalysen (z.B. Sintertechnologie).
SupportProgram
Origins: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Sinterung ? Elektronik ? Photovoltaik ? Anorganische Siliziumverbindung ? Temperaturentwicklung ? Regeltechnik ? Hochfrequente Felder ? Modul ? Produktionstechnik ? Temperaturbeständigkeit ? Verfahrenstechnik ? Wirkungsgrad ? Prozesskettenanalyse ? Energieeffizienz ? Energieeffizienzsteigerung ? Anlagenbau ? Bauelement ? Halbleiter ? Kühlung ? Neuartige Materialien ? Effizienzsteigerung ? Medizintechnik ? Carbid ? Anlagengröße ? Hochfrequenz-Hochstrom-Komponente ? Photovoltaik-Wechselrichter ? Siliciumcarbid ?
Region: Berlin
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2013-11-01 - 2016-10-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=16ES0092 (Webseite)Accessed 1 times.