Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Substrattechnologie für eine zuverlässige und effiziente Aufbautechnik von Mittelspannungsantrieben" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von curamik electronics GmbH durchgeführt. Ziel Gesamtverbundes: Erschließung der Energieeinsparpotentiale von SiC-Leistungshalbleitern für Mittelspannungs-Stromrichter. Schwerpunkt Teilvorhaben: Optimierung der Substrattechnologie auf der Basis von AlN- und Si3N4-Keramiken in Hinsicht auf die thermische Performance, der Teilentladungsfestigkeit und der Zuverlässigkeit . Erforschung grundlegender Zusammenhänge und Fehlermechanismen mit dem Ziel einer Designoptimierung des Layouts bzgl. der oben genannten Parameter. Bei Si3N4-Substraten liegt der Forschungsschwerpunkt auf der Optimierung einer für den DCB-Prozess notwendigen Zwischenschicht. Die Zusammensetzung, der Schichtaufbau und die kristallinen Phasen wirken sich entscheidend auf die Eigenschaften des fertigen Substrates aus, um insbesondere die sehr guten mechanischen Eigenschaften dieser Keramik für eine hohe Zuverlässigkeit nutzbar zu machen. Substrattechnologie: Bei der AlN-Keramik soll die Zuverlässigkeit der Substrate verbessert werden. Dazu werden verschiedene Verfahren zur Herstellung eines Stufendesigns erarbeitet und bewertet. Si3N4-Substrate: Für die Optimierung der Zwischenschicht werden als erstes eine IST-Analyse und eine Ermittelung des Schadensbildes auf der Basis von REM- und XRD-Untersuchungen durchgeführt. Diese bilden die Basis für das Verständnis eines geeigneten Schichtaufbaues und dessen Optimierung. Zuverlässigkeit: Auf der Basis von FEM-Simulationen werden eine Vielzahl von Parametern untersucht und mit realen Messungen verglichen.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Keramik ? Siliziumnitrid ? Substrat ? Elektronik ? Metallcarbid ? Silizium ? Thermodynamik ? Materialschaden ? Materialprüfung ? Energieeinsparpotenzial ? Antriebstechnik ? Energieeinsparung ? Kristallisation ? Produktionstechnik ? Verfahrenstechnik ? Energieeffizienz ? Bauelement ? Halbleiter ? Kenngröße ? Effizienzsteigerung ? Aluminiumnitrid ? Haltbarkeit ? Zuverlässigkeit ?
Region: Bayern
Bounding box: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2010-05-01 - 2013-04-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10894 (Webseite)Accessed 1 times.