Description: Das Projekt "P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET)" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH durchgeführt. Gegenstand des vorliegenden Forschungsantrages ist die Erschließung alternativer hoch-absorbierender Verbindungshalbleiter für Dünnschichtsolarzellen. Als Bauelementstruktur wird eine p-i-n-Struktur mit einem quasi-intrinsischen Absorber und mit p- und n-leitenden Heterokontakten großer Bandlücke anvisiert, da derartige Bauelemente aufgrund grundlegender physikalischer Überlegungen prinzipielle Vorteile für die Energiewandlung aufweisen sollten. In diesem Teilprojekt sollen als Kesterit -ähnliche Verbindungshalbleiter als alternatives Solarzellenabsorbermaterial hergestellt und in neuartige pin-Solarzellenstrukturen integriert werden. Am HZB stehen dafür sowohl PVD-Verdampfungsanlagen für die Absorberherstellung wie auch eine Dünnschichtsolarzellen-Baseline zur Solarzellenfertigung zur Verfügung. Zur notwendigen Charakterisierung der Absorbermaterialien und Solarzellen stehen eine Vielzahl von analytischen Methoden zur Verfügung. Im Verbundprojekt soll außerdem eine verteilte Solarzellenherstellung bei verschiedenen Partnern, spezialisierte Charakterisierungsmethoden bei verschiedenen Partnern und begleitende theoretische Bandstrukturrechnungen stattfinden.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Berlin ? Dünnschichtsolarzelle ? Absorber ? Solarzelle ? Absorption ? Solartechnik ? Analyseverfahren ? Energie ? Energieumwandlung ? Leitfähigkeit ? Verfahrenstechnik ? Bauelement ? Halbleiter ? Produktdesign ? Analytik ? Dünnschichtmodul [Solarzelle] ? Verdampfung ? p-i-n Solarzelle ?
Region: Berlin
Bounding box: 10.44987° .. 10.44987° x 54.03573° .. 54.03573°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2010-05-01 - 2013-04-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter?repno=03SF0358F (Webseite)Accessed 1 times.