Description: Das Projekt "Entwicklung und Charakterisierung duenner photoaktiver Schichten neuartiger Verbindungshalbleiter" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Bereich Physikalische Chemie.Duenne Schichten von neuartigen, hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern sollen mittels unterschiedlicher Verfahren praepariert werden. Als geeignete Materialien werden zunaechst FeS2, CuInS2 und Schichtgitterverbindungen des Typs MX2 (M=Mo, W; X=S, Se) beruecksichtigt, die alle hohe Absorptionskonstanten und geeignete Energieluecken fuer Solarenergieumwandlung aufweisen. Als Praeparationsverfahren sind chemische Spruehverfahren, Aufdampfverfahren, Depositionsverfahren von metallorganischen Verbindungen (MOCVD) und Epitaxietechniken (MBE) vorgesehen. Die Halbleiterschichten sollen bezueglich ihrer elektronischen und optischen Eigenschaften charakterisiert und in Bezug auf ihre Eignung fuer Solarenergieumwandlung entwickelt werden. Zusaetzlich sollen Polymerverbindungen bezueglich ihrer Eignung als photoaktives Medium untersucht und entwickelt werden.
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Origins: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Werkstoff ? Berlin ? Metallorganische Verbindung ? Solarzelle ? Absorption ? Materialprüfung ? Solartechnik ? Beschichtung ? Chemikalien ? Chemisches Verfahren ? Energieumwandlung ? Pyrit ? Halbleiter ? Chalkopyrit ? CuInS2 ? Eignungsfeststellung ? MBE ? MOCVD ? Schichtgitterverbindung ?
Region: Berlin
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 1989-07-01 - 1994-12-31
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