Teilvorhaben: Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale

Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik durchgeführt. Vorhabensziel (deutsch) Das Fraunhofer IAF wird die Technologie zur Herstellung der GaN-Leistungstransistoren auf SiC- und Si-Substraten erforschen. Es werden selbstsperrende Schalttransistoren mit extrem geringen Einschaltwiderständen und hoher Spannungsfestigkeit prototypisch in GaN-HFET-Technologie realisiert und untersucht. Diese Bauelemente werden im Rahmen des Projekts von der Fa. Bosch in einen 600 V / 3 kW DC/DC-Wandler für Hybrid- und Elektrofahrzeuge als Systemdemonstrator eingesetzt. Schalttransistoren für Photovoltaik-Wechselrichter (Leistung 3 - 5 kW, Schaltfrequenz 16 - 100 kHz, Spannungsbereich 350 - 1000 V) werden für die Fa. KACO realisiert und von dieser in Wechselrichterprototypen als Systemdemonstratoren aufgebaut und untersucht. Arbeitsplanung (deutsch) Das Fraunhofer IAF übernimmt die elektrische und thermische Auslegung von GaN/AlGaN-Schalttransistoren und die Erforschung von Skalierungsregeln bezüglich Gateweite und Chipfläche. Das Fraunhofer IAF erforscht die Anforderungen bezüglich der Epitaxie und Technologie für GaN-basierende Leistungsschalter. Es realisiert und untersucht GaN-Heterostruktur-FETs mit einer Sperrspannung von 1000 V zunächst auf SiC- und später auf Si-Substraten. Insbesondere sollen in enger Zusammenarbeit mit der RWTH Aachen selbstsperrende Transistoren mit isolierten Gatekontakten erforscht werden. Ein weiterer Schwerpunkt der Forschungsarbeiten liegt in der Skalierung der Bauelemente für den Betrieb bei Strömen von über 10 A für Leistungen von ca. 3 kW.

Types:

SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Aachen ? Aluminium ? Substrat ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Photovoltaik ? Silizium ? Kristallographie ? Regeltechnik ? Hybridfahrzeug ? Elektrofahrzeug ? Kristallisation ? Produktionstechnik ? Bauelement ? Halbleiter ? 99600 ? Aluminium-Gallium-Nitrid ? Anlagenbemessung ? GaN-Technologie ? Prototyp ? Schalttransistor ? Siliciumcarbid ?

Region: Baden-Württemberg

Bounding box: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Bundesministerium für Bildung und Forschung (Bereitsteller*in)
• Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik im Forschungsverbund Berlin e.V. (Mitwirkende)
• Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Betreiber*in)
• IXYS Semiconductor GmbH (Mitwirkende)
• KACO new energy GmbH (Mitwirkende)
• RWTH Aachen University, Lehr- und Forschungsgebiet GaN-Bauelementtechnologie (Mitwirkende)
• Robert Bosch (Mitwirkende)
• Umweltbundesamt (Bereitsteller*in)
• United Monolithic Semiconductors GmbH (Mitwirkende)
• Universität Erlangen-Nürnberg, Department Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik, Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (Mitwirkende)

Time ranges: 2010-06-01 - 2013-05-31

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10907 (Webseite)

Status

Aktiv

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