API src

Teilvorhaben: GaN-Epitaxie und Technologie für Leistungswandler von Morgen^Teilvorhaben: GaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler^Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik^Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus)^Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern^Teilvorhaben: Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie^Teilvorhaben: Charakterisierung und Validierung von GaN-basierten Leistungswandlern für zukünftige automobile Applikationen, Teilvorhaben: Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale

Types:
SupportProgram

Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Aluminium ? Substrat ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Photovoltaik ? Silizium ? Kristallographie ? Regeltechnik ? Hybridfahrzeug ? Elektrofahrzeug ? Kristallisation ? Produktionstechnik ? Bauelement ? 99600 ? Aluminium-Gallium-Nitrid ? Anlagenbemessung ? GaN-Technologie ? Halbleiter ? Prototyp ? Schalttransistor ? Siliciumcarbid ?

Region: Baden-Württemberg

Bounding boxes: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2010-06-01 - 2013-05-31

Resources

Status

Quality score

Accessed 1 times.