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Toxikologische, physikalisch-chemische und gesellschaftliche Erforschung innovativer Materialien und Prozesse der Optoelektronik (TEMPO), Teilvorhaben: Expositionspotenzialerforschung von GaAs, GaN und Sic im Rahmen einer industriellen Halbleiterherstellung

Description: Das Projekt "Toxikologische, physikalisch-chemische und gesellschaftliche Erforschung innovativer Materialien und Prozesse der Optoelektronik (TEMPO), Teilvorhaben: Expositionspotenzialerforschung von GaAs, GaN und Sic im Rahmen einer industriellen Halbleiterherstellung" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt. Es wird/wurde ausgeführt durch: United Monolithic Semiconductors GmbH.

Types:
SupportProgram

Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Photonik ? Schadstoffbelastung des Menschen ? Innenraumbelastung ? Galliumnitrid ? Anorganische Siliziumverbindung ? Abgasuntersuchung ? Abluft ? Schadstoffemission ? Schadstoffexposition ? Raumluftmessung ? Messung ? Literaturauswertung ? Risikoanalyse ? Stoffbewertung ? Arbeitsplatz ? Störfall ? Toxikologische Bewertung ? Verfahrenstechnik ? Wirkungsanalyse ? Arbeitsschutz ? Bewertungsverfahren ? Kausalzusammenhang ? Raumfahrt ? Neuartige Materialien ? Physikalischer Vorgang ? Industrielles Verfahren ? Referenzwert ? Halbleiter ? Lebenszyklus ? Galliumarsenid ? Siliziumcarbid ? Validierung ? Carbid ?

Region: Baden-Württemberg

Bounding boxes: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°

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License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2013-09-01 - 2016-10-31

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