Description: Untersucht wird die galvanische Herstellung duenner Halbleiterschichten fuer photovoltaische Anwendungen als potentiell kostenguenstiges Verfahren im Vergleich zu den gaengigen Aufdampfverfahren. Schwerpunkte: - Untersuchung der Kinetik der Schichtbildung und der Keimbildung, - Herstellen von p-n-Uebergaengen, - Uebertragung der entwickelten Methoden auf verschiedene Verbindungshalbleiter. Ergebnisse: Photovoltaisch aktive Cu2S-Schichten geeigneter Qualitaet koennen reproduzierbar hergestellt werden (eta der Zellen: 3,3 Prozent). Die Methode ist auf CuInS2 anwendbar.
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Tags: Kupfersulfid ? Photovoltaik ? Solarzelle ? Alternative Energie ? Beschichtung ? Energietechnik ? Galvanik ? Produktionstechnik ? Vergleichsanalyse ? Duenne-Schichten ? Halbleiter ? Halbleiterschichten ? Keimbildung ? Kinetik ? Verbindungshalbleiter ?
Bounding boxes: 7.7724673° .. 10.236414199999999° x 49.3952716° .. 51.6577889° 7.774300801225513° .. 10.23551940486976° x 49.394822919765986° .. 51.65678236674997°
License: Creative Commons Namensnennung-keine Bearbeitung-Nichtkommerziell 4.0
Language: Deutsch
Last harvest: 19.10.2026 00:12
Time ranges: 1992-01-01 - 1998-02-28
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