Description: Das Projekt "Epitaxie, Prozessierung und Charakterisierung von III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme durchgeführt. III-V Mehrfachsolarzellen erreichen bei weitem die höchsten Umwandlungseffizienzen von Sonnenlicht in elektrischen Strom von bis zu 38 %. Der Einsatz der III-V Halbleiter in photovoltaischen Flachmodulen schien bisher aufgrund hoher Herstellungs- und Substratkosten als unrealistisch. Die Verbundpartner am Fraunhofer ISE, der TU Ilmenau und der Univ. Marburg konnten aber kürzlich zeigen, dass sich III-V Verbindungen mit hoher Qualität auch direkt auf Silicium abscheiden lassen. Nur wenige Mikrometer an III-V Halbleitermaterial reichen dabei aus, um Mehrfachsolarzellen mit Wirkungsgraden von über 30 % auf Si zu realisieren. Die Kombination etablierter Silicium Solartechnologie mit den Vorteilen der III-V Halbleiter, eröffnet neue Optionen für höchsteffiziente Solarzellen und steht im Mittelpunkt des Projekts MehrSi. Durch eine Reduktion von Defektdichten und durch optimierte Solarzellenstrukturen sollen erstmals direkt auf Si gewachsene GaInP/GaAs(P) Mehrfachsolarzellen mit größer als 30 % Effizienz demonstriert werden. Neben grundlegender Material- und Bauelemententwicklung in den Forschungsgruppen werden Produktionsaspekte von Anfang an berücksichtigt. Der MOVPE Anlagenhersteller Aixtron SE bringt seine langjährige Erfahrung aus der LED Fertigung ein und wird Konzepte für großflächige und kostengünstige III-V Epitaxieprozesse erarbeiten.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Marburg ? Siliziumverbindung ? Substrat ? Arsen ? Gallium ? Phosphor ? Photovoltaik ? Silizium ? Solarstrahlung ? Solarzelle ? Indium ? Material ? Stromerzeugung ? Kristallographie ? Solartechnik ? Wirtschaftlichkeitsuntersuchung ? Qualitätsmanagement ? Abscheidung ? Energiesystem ? Kristallisation ? Werkstoffkunde ? Wirkungsgrad ? Anlagenbau ? Bauelement ? Halbleiter ? Effizienzsteigerung ? Dünnschichtmodul [Solarzelle] ? Galliumarsenid ? Galliumarsenidphosphid ? Galliumindiumphosphid ? III-V-Halbleiter ? Mehrfachsolarzelle ?
Region: Baden-Württemberg
Bounding box: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2015-09-01 - 2018-08-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=03SF0525A (Webseite)Accessed 1 times.