Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von RWTH Aachen University, Lehr- und Forschungsgebiet GaN-Bauelementtechnologie durchgeführt. Die RWTH Aachen wird im Rahmen ihres Teilvorhabens grundlegende Untersuchungen zu Konzepten und technologischen Ansätzen zur Realisierung selbstsperrender Feldeffekttransistoren und deren Anordnung in vertikaler Konfiguration durchführen. Zum Erreichen der Ziele wird die RWTH Aachen: 1) Konzepte für GaN-Schalttransistoren erforschen 2) die technologische Umsetzbarkeit der Bauelementkonzepte untersuchen und experimentell erforschen 3) unterschiedliche Ansätze auf der Basis experimenteller Ergebnisse und theoretischer Überlegungen bewerten um das Potenzial der neuen Bauelemente im Rahmen des Gesamtvorhabens abzuschätzen 4) die Verbundpartner darin unterstützen die erarbeiteten technologischen Bausteine und Bauelementkonzepte umzusetzen.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Aachen ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Grundlagenforschung ? Bauelement ? Halbleiter ? Technische Aspekte ? GaN-Technologie ?
Region: Nordrhein-Westfalen
Bounding box: 6.76339° .. 6.76339° x 51.21895° .. 51.21895°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2010-06-01 - 2013-05-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10913 (Webseite)Accessed 1 times.