Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Sputtertechnologie für epitaktische Aluminiumnitrid-/Galliumnitrid-Schichten" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Fraunhofer-Institut für Organische Elektronik, Elektronenstrahl- und Plasmatechnik durchgeführt. Das Gesamt-Projekt HiPERFORM zielt auf die industrielle Anwendbarkeit zu entwickelnder SiC- und GaN-Halbleiterbauelemente für künftige 'Smart-Mobility-'/ 'Smart Industry-'/ 'Smart Energy- Produkte'. Diese bieten großes Potential für höhere, mit Si-Bauelementen nicht erreichbare Performance und zugleich niedrigere Kosten der Elektronik, stärken damit die europäische Position auf diesem Gebiet und tragen zugleich substantiell zur Senkung der CO2-Emission im Transportsektor und damit zur Erreichen der europäischen Klimaziele bei. Das Ziel des Teilprojekts von FhG-FEP ist die Entwicklung einer Technologie zur epitaktischen AlN / GaN-Schichtabscheidung mittels Reaktiv-Magnetronsputterns, die Beschränkungen der bisher eingesetzten MOCVD-Abscheidetechnologie überwindet. Durch höhere Abscheideraten (Waferdurchsatz), geringere Kosten für die Ausgangssubstanzen und das Potenzial zum Übergang auf größere Wafer sollen die Fertigungskosten durch Nutzung des Sputterns wesentlich gesenkt werden.
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Plasmatechnik ? CO2-Emission ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Industrie ? Abscheidung ? Produktionskosten ? Technik ? Verfahrenstechnik ? Energieeffizienz ? Klimaziel ? Bauelement ? Verkehr ? Neuartige Materialien ? Abscheiderate ? Leistungsfähigkeit ?
Region: Sachsen
Bounding boxes: 10.96785° .. 10.96785° x 47.85761° .. 47.85761°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2018-08-15 - 2021-04-30
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