Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Galliumnitrid Leistungsbauelemente auf alternativen Substraten" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik durchgeführt. Im Gesamtvorhaben werden neuen Halbleiter-, Bauelement- und Systemtechnologien für intelligente, kostengünstige und bidirektionale Ladesysteme für die Systemintegration und Elektromobilität mit Batterien der 800V-Klasse erforscht. Im Teilvorhabens des Fraunhofer IAF liegt der Schwerpunkt auf der Erforschung von lateralen GaN Halbleiter- und Bauelementtechnologien für Leistungselektronik mit erhöhten Spannungsanforderungen speziell in der Elektromobilität, die gleichzeitig besonders kostengünstig, flächeneffizient und elektrisch effizient sind. Einerseits soll eine erhöhte Sperrspannung von 1200V mit lateralen GaN Transistoren mittels alternativer Substrate anstelle von Silizium erreicht werden, die im Vergleich zu Siliziumcarbid kostengünstiger sind, und andererseits soll eine monolithisch bidirektionale Sperrfähigkeit für innovative Schaltungstopologien erreicht werden.
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Galliumnitrid ? Silizium ? Elektromobilität ?
Region: Baden-Württemberg
Bounding boxes: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2023-06-01 - 2026-05-31
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