Description: Das Projekt "Materialforschung an halbleitenden Siliziden fuer photovoltaische Anwendungen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von ADW - Zentralinstitut für Elektronenphysik - Institut Adlershof durchgeführt. Zielsetzung: Materialforschung unter den Aspekten Verfuegbarkeit, Ungiftigkeit und Stabilitaet besitzt fuer die perspektivische Entwicklung der Photovoltaik ein gewichtiges Potential. Bei der Suche nach den neuen Materialien fuer die Photovoltaik sind die halbleitenden Verbindungen des Si mit anderen gut verfuegbaren und nichttoxischen Elementen mit direkten Energieluecken eine naheliegende Konsequenz dieser Forschungsstrategie. Unter den Verbindungen des Si mit Uebergangsmetallen der IV-VIII Gruppe des Periodischen Systems - den Siliziden - existieren Phasen mit halbleitenden, semimetallischen und halbleitenden Eigenschaften. Zu den halbleitenden Siliziden gehoeren eine Reihe Si-reicher Verbindungen mit Uebergangsmetallen der VII und VIII Gruppe. Fuer photovoltaische Anwendungen sind im wesentlichen die halbleitenden Silizide mit 3d-Uebergangsmetallen von Bedeutung, (Si-reiche Silizide im System Cr-Si, Fe-Si und Mn-Si), die direkte Energieluecken zwischen 0,8 und 1,0 eV haben. Ein wesentliches Problem bei den halbleitenden Siliziden ist die Optimierung der elektrischen Eigenschaften. Entscheidende Fortschritte werden mit einer verbesserten Materialqualitaet erwartet. Als Praeparationskonzept wird dem Projekt deshalb das Koverdampfen zugrundegelegt mit den folgenden zu erwartenden Vorteilen: a) Vermeidung von Phasenwachstum ueber Phasensequenzen, b) Reduktion des stoerenden Einflusses von Kontaminationen, c) Reduktion der Reaktionstemperatur und -zeit, d) gezielte Variation der Stoechiometrie, e) epitaktisches Wachstum auf Si (111) und Si (100), f) gezielte und homogene Dotierbarkeit, g) morphologisch ebene Grenzflaechen.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Chrom ? Magnesium ? Siliziumverbindung ? Eisen ? Photovoltaik ? Silizium ? Solarzelle ? Stöchiometrie ? Energietechnik ? Energieumwandlung ? Leitfähigkeit ? Reaktionstemperatur ? Grenzschicht ? Halbleiter ? Verunreinigung ? Epitaxie ?
Region: Berlin
Bounding box: 10.44987° .. 10.44987° x 54.03573° .. 54.03573°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 1991-07-01 - 1991-12-31
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