Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf der Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke (NeuLand), Teilvorhaben: Defektreduzierte 4H-SiC-Wafer für Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz

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Tags: Substrat ? Kohlenstoff ? Silizium ? Materialschaden ? Prüfverfahren ? Wirtschaftlichkeit ? Energieeffizienz ? Bauteil ? Physikalische Größe ? Materialprüfung ? 4H-SiC-Wafer ? Halbleiter ? Kristallisation ? Metallcarbid ? Siliciumcarbid ?

Region: Bayern Bayern

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Language: Deutsch

Organisations

• Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt (Finanzielle Förderung)
• SiCrystal AG (Projektverantwortung)
• Umweltbundesamt (Bereitstellung)

Last harvest: 29.09.2026 09:30

Time ranges: 2010-05-01 - 2013-04-30

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10731 (Webseite) ✓

Status

Aktiv

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