Si- und SiGe-Dünnfilme für thermoelektrische Anwendungen (SiGe-TE)^Si- und SiGe-Dünnfilme für thermoelektrische Anwendungen (SiGe-TE)^Si- und Si-Ge-Dünnfilme für thermoelektrische Anwendung (SiGe-TE), Glancing Angle Deposition von Si-Ge-Nanosäulen

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Tags: Substrat ? Elektrizität ? Germanium ? Silizium ? Struktur-Wirkung-Beziehung ? Temperatur ? Vakuumtechnik ? Verfahrensparameter ? Abscheidung ? Verfahrenstechnik ? Thermisches Verfahren ? Anlagenbau ? Bauelement ? in situ ? Produktdesign ? Nanotechnologie ? Nanomaterialien ? Glancing Angle Deposition ? Halbleiter ? Nachbehandlung ? Thermoelektrizität ? Werkstoffkunde ?

Region: Saxony

Bounding boxes: 13.25° .. 13.25° x 51° .. 51°

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License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt (Finanzielle Förderung)
• Fraunhofer-Gesellschaft (Mitwirkung)
• IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics , Institut für innovative Mikroelektronik (Mitwirkung)
• Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. (Projektverantwortung)
• Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg (Mitwirkung)
• Max-Planck-Gesellschaft (Mitwirkung)
• Umweltbundesamt (Bereitstellung)

Time ranges: 2009-08-01 - 2012-07-31

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://www.tib.eu/de/filter?repno=03X3541C (Webseite)

Status

Aktiv

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