Description: Das Projekt "Fluessigphasenepitaxie von Silicium, Technologie- und Anlagenentwicklung zur Zuechtung von Si auf polykristallinem Silicium und alternativen Unterlagen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Institut für Kristallzüchtung (IKZ) im Forschungsverbund Berlin e.V. durchgeführt. Das Gesamtziel des Projektes liegt in der angewandten Forschung auf dem Gebiet der Fluessig-phasenepitaxie von Silicium. Unter Nutzung von Ergebnissen der Grundlagenforschung zur Abscheidung von Silicium auf einkristallinen Siliciumsubstraten aus dem Max-Planck-Institut Stuttgart sollte die Uebertragbarkeit auf billigere Substratmaterialien und groessere Substratabmessungen sowie die oekonomische und technische Realisierbarkeit von LPE-Techniken und Technologien untersucht werden. Die Arbeiten im Projekt konzentrierten sich auf die Schwerpunkte: 1. Abscheidung von epitaktischen Siliciumschichten auf polykristallinen Substraten. 2. Untersuchungen zur Herstellung und zum Einsatz von alternativen Unterlagen als Substrate fuer die Fluessigphasenepitaxie von Silicium. 3. Entwicklung einer Anlagenkonzeption zur Abscheidung von Epitaxieschichten auf Substratflaechen von 4.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Stuttgart ? Berlin ? Morphologie ? Silizium ? Abscheidung ? Kristallisation ? Produktionstechnik ? Angewandte Wissenschaft ? Züchtung ? Dotierung ? Fluessigphasenepitaxie ? Keimbildung ? Korngrenzen ? Temperatur-Differenz-Methode ? Versetzungen ? amorphe-Substrate ?
Region: Berlin
Bounding box: 10.44987° .. 10.44987° x 54.03573° .. 54.03573°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 1992-02-01 - 1995-12-31
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