Teilvorhaben: GaN-Epitaxie und Technologie für Leistungswandler von Morgen^Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus)^Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik^Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern^Teilvorhaben: Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie^Teilvorhaben: Charakterisierung und Validierung von GaN-basierten Leistungswandlern für zukünftige automobile Applikationen, Teilvorhaben: GaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler

SupportProgram

Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Substrat ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Silizium ? Hybridfahrzeug ? Leichtbau ? Elektrofahrzeug ? Energieeffizienz ? Bauelement ? Effizienzsteigerung ? GaN-Technologie ? Halbleiter ? Prototyp ? Siliciumcarbid ? Zuverlässigkeit ?

Region: Berlin

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt (Finanzielle Förderung)
• Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik im Forschungsverbund Berlin e.V. (Projektverantwortung)
• Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Mitwirkung)
• IXYS Semiconductor GmbH (Mitwirkung)
• KACO new energy GmbH (Mitwirkung)
• RWTH Aachen University, Lehr- und Forschungsgebiet GaN-Bauelementtechnologie (Mitwirkung)
• Robert Bosch (Mitwirkung)
• Umweltbundesamt (Bereitstellung)
• United Monolithic Semiconductors GmbH (Mitwirkung)
• Universität Erlangen-Nürnberg, Department Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik, Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (Mitwirkung)

Time ranges: 2010-06-01 - 2013-05-31

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10908 (Webseite)

Status

Aktiv

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