Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Erste Studie zur Qualifizierbarkeit von GaN Chip Embedding Technologien in Automobilanwendungen am Beispiel von kühlerlosem Laden" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Infineon Technologies AG durchgeführt. Durch den Einsatz und die Erforschung neuartiger Schaltungstopologien und hoch-effizienter Wide-Band-Gap (WBG) Leistungsbauelemente/AVT soll im Rahmen des Vorhabens die Verlustleistung in kompakten leistungselektronische Komponenten weiter reduziert werden. Zudem soll die zulässige Temperaturdifferenz zwischen Verlustleistungsquelle und Umgebung erhöht werden, womit eine Luftkühlung bisher noch wassergekühlter Systeme möglich wird. Die erzielbaren Verbesserungen sollen am Beispiel von Ladegeräten, DC/DC-Wandlern und Wandlern für Nebenaggregate, wie sie für das Laden elektrischer Fahrzeuge benötigt werden, erforscht und dargestellt werden. Das hohe Potential von GaN-Bauelementen im Sinne von Effizienz und hoher Schaltfrequenz kann nur durch eine temperaturtolerante und auf der elektrischen Seite optimalen Anbindung der Aufbau- und Verbindungstechnik gehoben werden, die auch die nötigen Stressanpassungen aufgrund unterschiedlicher Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen GaN und Gehäusematerial erlaubt. Infineon wird im Rahmen des Projektes Untersuchungen zur Zuverlässigkeit GaN basierter luftgekühlter Leistungselektronik (Module, diskrete Leistungshalbleiter) durchführen. Die Infineon Technologies wird im Rahmen des Vorhabens initiale Untersuchungen zur Verwendbarkeit von Embbedded GaN Power Schaltkreisen, insbesondere für die Aufbau- und Verbindungstechnik in der Automobilelektronik durchgeführt. Es werden Zuverlässigkeitstests durchgeführt, um die besonderen Anforderung der GaN Bauelemente an Stressbedingungen im Fahrzeug zu erforschen. Dazu erfolgt eine gemeinsame Abstimmung hinsichtlich der Anforderungen für die Tests mit den Projektpartnern. Infineon wird dabei auf Standard konforme und automotive taugliche Prozesse und Verfahren achten. Im Ergebnis wird durch das Projekt damit ein wesentlicher Beitrag zur Bewertung des Einsatzpotentials von gehäusten GaN-Chips für die Automobilindustrie erwartet.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Luftkühlung ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Temperaturabhängigkeit ? Außenluft ? Elektrotechnik ? Regeltechnik ? Elektrofahrzeug ? Energie ? Automobilindustrie ? Fahrzeugtechnik ? Produktionstechnik ? Standardmethode ? Studie ? Minderungspotenzial ? Elektromobilität ? Bauelement ? Halbleiter ? Kenngröße ? Technische Aspekte ? Effizienzsteigerung ? Aufladung ? Belastungsanalyse ? Eignungsprüfung ? Kompaktbauweise ? Ladegerät ? Mechatronik ? Verlustleistung ? Wide Band Gap-Halbleiter ? Wärmeausdehnungskoeffizient ? Zuverlässigkeit ?
Region: Bayern
Bounding box: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2015-01-01 - 2017-12-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=16EMO0083K (Webseite)Accessed 1 times.