Description: Das Projekt "Herstellung und Untersuchung von beta-FeSi2-Si-Heterostrukturen fuer Anwendungen in der Photonik" wird/wurde gefördert durch: Deutsche Forschungsgemeinschaft. Es wird/wurde ausgeführt durch: Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Institutsteil Berlin-Adlershof, Bereich A Angewandte Physik, Abteilung Photovoltaik.Ziel ist die Herstellung niedrig-dotierter stoechiometrischer epitaktischer beta-FeSi2-Schichten auf 111-orientiertem Si-Substrat mit Hilfe thermisch und plasmaunterstuetzter CVD-Verfahren unter Verwendung von Silan und leichtfluechtiger Eigenverbindungen sowie mit MBE-Verfahren und Sputtern von Mischtargets. Dabei soll insbesondere der Si-beta-FeSi2-Heterouebergang mit mikroanalytischen, elektrischen und photoelektrischen Verfahren charakterisiert und hinsichtlich einer moeglichst geringen Defektdichte optimiert werden. Es wird erhofft, dass sich grossflaechige Detektoren fuer Bildaufnahmesysteme vom Sichtbaren bis ins Infrarote und kostenguenstige Duennschicht-Solarzellen realisieren lassen.
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Origins: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Substrat ? Silan ? Berlin ? Photonik ? Sensor ? Silizium ? Solarzelle ? Stöchiometrie ? Materialprüfung ? Beschichtung ? Energietechnik ? Infrarotstrahlung ? Produktionstechnik ? Prüfverfahren ? Halbleiter ? Fotografie ? Bildaufnahmesysteme ? Duennschicht-Technologie ? Eisendisilizid ? Elektrisches-Verfahren ? Heterouebergang ? Mikroanalytisches-Verfahren ? Optisches-Verfahren ?
Region: Berlin
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 1994-09-01 - 1997-08-31
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