Description: Im Projekt Re-PV schließen sich führende Anlagenhersteller aus Deutschland und das Fraunhofer ISE zusammen, um industrielle Fertigungstechnologien für Solarzellen mit Tunneloxid-passivierenden Kontakten (Tunnel Oxide Passivating Contact, TOPCon) bereitzustellen und die Zellstruktur weiterzuentwickeln. Ziel ist es, die TOPCon Technologie für die Re-Etablierung der PV-Produktion im europäischen Raum mit der benötigten technologischen Reife verfügbar zu machen und die Wettbewerbsfähigkeit der deutschen Anlagenbauer zu stärken, so dass diese am erwarteten starken Aufbau von auf TOPCon basierenden Produktionskapazitäten partizipieren können. Im Teilvorhaben stehen die in-situ Herstellung des Tunneloxids sowie einseitige Abscheidung und in-situ Dotierung der Silicium-Schicht im Vordergrund. Dabei dienen optimierte Einzelprozesse als Voraussetzung für kostengünstige Hochdurchsatz-Prozesse.
Types:
SupportProgram
Tags:
Solarzelle
?
Deutschland
?
Abscheidung
?
Produktionstechnik
?
Wettbewerbsfähigkeit
?
Zellstruktur
?
Region:
Saxony
Bounding boxes:
13.25° .. 13.25° x 51° .. 51°
License: Creative Commons Namensnennung-keine Bearbeitung-Nichtkommerziell 4.0
Language: Deutsch
Organisations
Time ranges:
2025-04-01 - 2028-03-31
Alternatives
-
Language: Englisch/English
Title: Sub-project: PVD-based tunnel oxides and Si deposition
Description: In the Re-PV project, leading equipment manufacturers from Germany and Fraunhofer ISE are joining forces to provide industrial manufacturing technologies for solar cells with tunnel oxide passivating contacts (TOPCon) and to further develop the cell structure. The aim is to make the TOPCon technology available for the re-establishment of PV production in Europe with the required technological maturity and to strengthen the competitiveness of German plant manufacturers so that they can participate in the expected strong build-up of TOPCon-based production capacities. The sub-project focuses on the in-situ production of the tunnel oxide as well as the one-sided deposition and in-situ doping of the silicon layer. Optimized individual processes serve as a prerequisite for cost-effective high-throughput processes.
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