Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von IXYS Semiconductor GmbH durchgeführt. Ziel des Gesamtvorhabens PowerGaNPlus ist die wissenschaftliche Erforschung von GaN-Bauteilen auf Si-Trägermaterialien für den Einsatz in Leistungshalbleiterbauelementen mit dem Ziel der effizienteren Energienutzung in den Anwendungen dieser Bauteile. Im Rahmen dieses Forschungsprojektes evaluiert und erforscht die Firma IXYS Semiconductor GmbH hierfür mögliche Packagingkonzepte. Diese Arbeiten umfassen Aufgabenstellungen zum Substrat (Schaltungsträger), der Chip-Kontaktierung (Die-Attach und oberer Chip-Kontakt) und der Umhausung (Housing). Zur Lösung der anspruchsvollen Aufgabenstellungen für das Packaging der GaN-Bauteile unterteilt sich die Vorgehensweise in 6 Arbeitspunkte, welche in enger Wechselwirkung mit den Projektpartnern bearbeitet werden. Im ersten Schritt erfolgt die Festlegung der technischen Anforderungen sowie der geometrischen Abmessungen an das Packaging/Housing (AP I1). Für die Charakterisierung der GaN-Chips durch die am Projekt beteiligten Endanwender werden Muster in einem Standardpackage aufgebaut, wobei dieses Package auch für die erste Bewertung möglicher Schwachstellen der derzeit verwendeten AVT-Technologien dient (AP I2). In den AP I3 bis AP I5 werden mögliche technische Konzepte zur AVT der GaN-Bauteile evaluiert und in einem Demonstrator umgesetzt, dazu werden die durch die Recherche gewonnenen Konzepte mit verwendet. Im abschließenden AP I6 wird der Demonstrator hinsichtlich seiner Zuverlässigkeitseigenschaften charakterisiert und bewertet.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Substrat ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Silizium ? Effizienz ? Energienutzung ? Energieeffizienz ? Forschungsprojekt ? Bauelement ? Halbleiter ? Verpackung ? Versuchsanlage ? Wohnen ? Technische Aspekte ? Effizienzsteigerung ? Anlagenbemessung ? Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT) ? GaN-Technologie ? Schwachstellenanalyse ?
Region: Hessen
Bounding box: 9° .. 9° x 50.55° .. 50.55°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2010-06-01 - 2013-05-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10912 (Webseite)Accessed 1 times.