Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Photovoltaik-Wechselrichter auf Basis von GaN-Schalttransistoren" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von KACO new energy GmbH durchgeführt. Transistoren auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) zeichnen sich aufgrund der intrinsischen Vorteile des Materialssystems gegenüber herkömmlichen Si-Leistungsbauelementen durch höhere Betriebsspannungen, geringere Einschaltwiderstände, besseres Reverse-Recovery-Verhalten, kürzere Schaltzeiten sowie das Potenzial für den Betrieb bei hohen Temperaturen aus. Ziel des Vorhabens ist die Erforschung der Möglichkeiten zum Einsatz dieser Bauelemente in PV-Wechselrichtern. Arbeitsplanung: Unser Unternehmen - erforscht dabei an die GaN-Leistungsschalter angepasste Topologien für die Leistungselektronik, - erforscht an die Schalter angepasste Treiberschaltungen, - charakterisiert das Verhalten der Halbleiter in den Systemen, - realisiert und erforscht Labormuster mit GaN-Leistungsschaltern und - realisiert abschließend einen Forschungs-Prototyp eines Wechselrichters.
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Photovoltaik ? Silizium ? Energietechnik ? Energieeffizienz ? Bauelement ? Halbleiter ? Effizienzsteigerung ? GaN-Technologie ? Prototyp ? Solarmodul ? Wechselrichter ?
Region: Baden-Württemberg
Bounding boxes: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2010-06-01 - 2013-05-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10906 (Webseite)Accessed 1 times.