Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Silberkontakt- und DiffusionsloTeilprojekt asten für die Niederdruck-Montage von Chips in hochintegrierten Hochstromleiterplatten" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG, Contact Materials Division durchgeführt. Mit diesem Projekt sollen eine Aufbau- und Verbindungstechnik für Montage von IGBT's und Dioden auf Hochstromleiterplatten und die entsprechenden stoffschlüssigen Verbindungsmaterialien, Sinter- und Diffusionslotpasten erforscht werden. Ziel ist zu erforschen welche Rohstoffe Silbersinterpasten oder Diffusionslotpasten benötigt werden um diese Pasten in der Leiterplattentechnologie einsetzen zu können. Die besondere Herausforderung ist die Begrenzung der Prozesstemperatur beim Herstellen der Hochstromleiterplattenmodule auf kleiner 200 C und eine deutliche Reduzierung des Prozessdrucks. Besonders zu Diffusionslotpasten müssen neue Konzepte gefunden und erforscht werden. Die Arbeitspakete sind im Wesentlichen in den Arbeitspaketen 4 und 5 beschrieben. Sie können in die beiden Teilbereiche Silbersintern und Diffusionslöten gegliedert werden. bei der Sintertechnologie müssen im Wesentlichen zunächst Stoffe und Methoden erforscht werden die den Sinterprozess deutlich unter 200 C ermöglichen bei möglichst niedrigem Druck. Für die Diffusionslotpasten sind vor allem an den Metallpulvern (Lot-, Kupfer-, Silberpulver) sowie neuartigen Fluss geforscht werden. Wie beim Sintern muss ein möglichst druckfreier Prozess ermöglicht werden. Für beide Systeme wird an neuen Prüfungen zur Charakterisierung der Verbindungsschicht geforscht.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Sinterung ? Silber ? Fluss ? Kupfer ? Elektronik ? Temperaturabhängigkeit ? Verfahrensparameter ? Elektrofahrzeug ? Produktionstechnik ? Prüfverfahren ? Rohstoff ? Verfahrenstechnik ? Werkstoffkunde ? Elektromobilität ? Diffusion ? Legierung ? Diffusionslotpaste ? Flussmittel ? Hochstromleiterplatte ? Niederdruck ? Pulver ? Silbersinterpaste ?
Region: Hessen
Bounding box: 9° .. 9° x 50.55° .. 50.55°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2011-09-01 - 2014-11-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter?repno=16N11656 (Webseite)Accessed 1 times.