Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik^Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus)^Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern, Teilvorhaben: Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie

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Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Silizium ? Temperaturabhängigkeit ? Energieeffizienz ? Bauelement ? Physikalische Größe ? Effizienzsteigerung ? GaN-Technologie ? Halbleiter ? Leistungsdichte ?

Region: Bavaria

Bounding boxes: 11.5° .. 11.5° x 49° .. 49°

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License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt (Finanzielle Förderung)
• Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik im Forschungsverbund Berlin e.V. (Mitwirkung)
• Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Mitwirkung)
• IXYS Semiconductor GmbH (Mitwirkung)
• KACO new energy GmbH (Mitwirkung)
• RWTH Aachen University, Lehr- und Forschungsgebiet GaN-Bauelementtechnologie (Mitwirkung)
• Robert Bosch (Mitwirkung)
• Umweltbundesamt (Bereitstellung)
• United Monolithic Semiconductors GmbH (Mitwirkung)
• Universität Erlangen-Nürnberg, Department Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik, Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (Projektverantwortung)

Time ranges: 2010-06-01 - 2013-05-31

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10911 (Webseite)

Status

Aktiv

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