Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik^Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus)^Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern, Teilvorhaben: Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Universität Erlangen-Nürnberg, Department Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik, Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente.
SupportProgram
Origins: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Silizium ? Temperaturabhängigkeit ? Elektrotechnik ? Energieeffizienz ? Bauelement ? Halbleiter ? Physikalische Größe ? Effizienzsteigerung ? Digitale Technologien ? GaN-Technologie ? Leistungsdichte ?
Region: Bayern
Bounding boxes: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2010-06-01 - 2013-05-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10911 (Webseite)Accessed 1 times.