Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Erlangen-Nürnberg, Department Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik, Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente durchgeführt. 1. Vorhabensziel; Ziel des Projekts 'PowerGaNplus' ist die Erforschung neuartiger Leistungsmodule mit herausragender Energieeffizienz basierend auf dem modernen Halbleiter Galliumnitird (GaN). Die neuartigen Leistungsmodule werden in eine Systemumgebung integriert und deren Leistungsfähigkeit durch Demonstratoren nachgewiesen. Für den LEB stehen hierbei grundlegende Fragestellungen im Vordergrund, die sich aufgrund einer Integration der neuartigen Bauelemente in ein komplexes leistungselektronisches System ergeben. Insbesondere werden hier schnell schaltende Bauelemente bei hohen Betriebsspannungen eingesetzt, die mit den heute üblichen Siliciumbauelementen nicht möglich sind. Damit ergeben sich für Schaltungstopologie und die passive Komponenten neuartige Anforderungen und Betriebszustände. 2. Arbeitsplanung In den verschiedenen Arbeitspaketen des Projektes erforscht der LEB optimal geeignete Schaltungstopologien. Im Fokus einer Charakterisierung der neuen GaN Leistungsbauelemente stehen hochdynamische Schaltversuche bei unterschiedlichen Umgebungstemperaturen und hohen Spannungen, die Ermittlung der Durchbruchspannung und der spannungsabhängigen Bauelementekapazitäten, sowie die Herleitung eines vereinfachten Bauelementemodells. Darüber hinaus erfolgen Untersuchungen zu sehr niederinduktiven Leistungsmodulen durch Ermittlung der parasitären Leitungsinduktivitäten und Koppelkapazitäten. Im Projekts erfolgt zudem eine Systemerforschung mittels eines isolierenden 3 kW Bordnetzwandlers als Demonstrator. Hierbei wird in einer ganzheitlichen Betrachtung, die Integration der neuartigen Bauelemente in ein komplexes leistungselektronisches System untersucht.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Silizium ? Temperaturabhängigkeit ? Elektrotechnik ? Energieeffizienz ? Bauelement ? Halbleiter ? Physikalische Größe ? Effizienzsteigerung ? Digitale Technologien ? GaN-Technologie ? Leistungsdichte ?
Region: Bayern
Bounding box: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2010-06-01 - 2013-05-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10911 (Webseite)Accessed 1 times.