Teilvorhaben: IGBT's und Dioden mit innovativen Oberflächen und integrierter Sensorik

Description: Das Projekt "Teilvorhaben: IGBT's und Dioden mit innovativen Oberflächen und integrierter Sensorik" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Infineon Technologies AG durchgeführt. Vorhabenziel: Das übergreifende Ziel des Projekts HI-LEVEL ist die Erforschung eines neuartigen Aufbaukonzepts für die Antriebselektronik von Motoren in Elektrofahrzeugen. Ziel der Forschung ist, dass der gesamte Aufbau kompakt mit geringer Baugröße erfolgen kann, so dass eine Montage direkt am Elektromotor möglich ist. Die Basis für die Forschungen bietet eine Hochstromleiterplatten-Technologie mit strukturiertem Cu-Kern von 1 - 4 mm Stärke. Der Cu-Kern bietet einen sehr geringen elektrischen Widerstand verbunden mit hoher Wärmeleitfähigkeit. Die Leistungshalbleiter (IGBTs, Dioden) werden direkt auf dem Kern montiert. Die Kontaktierung der Halbleiteroberseiten erfolgt durch eine Cu-Leiterplattenlage mittels Einbett-Technik. Die erforderliche Ansteuerelektronik wird in separate Leiterplattenmodule planar eingebettet, welche auf dem Leistungsmodul montiert werden. Arbeitsplanung: Entsprechend den neuen Aufbaumöglichkeiten sollen IGBTs im Vorhaben weiter erforscht werden, z. B. durch modifizierte Oberflächen und integrierte Temperatursensoren. Infineon setzt bei den IGBT's und Sensoren mit seinen Forschungsarbeiten an. Die Metallisierung der Oberflächen der Leistungshalbleiter und die monolithische Integration der Sensorik zur Temperaturüberwachung, abgestimmt auf das Gesamtsystem und dessen Anforderung der direkten Montage am Elektromotor, sind die Kernthemen von Infineon.

Types:

SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Kupfer ? Elektronik ? Sensor ? Anlagenoptimierung ? Elektroantrieb ? Elektromotor ? Temperaturmessung ? Wärmeleitfähigkeit ? Beschichtung ? Antriebstechnik ? Elektrofahrzeug ? Leitfähigkeit ? Motor ? Produktionstechnik ? Elektromobilität ? Sensorische Bestimmung ? Halbleiter ? Technische Aspekte ? Anlagengröße ? Hochstromleiterplatte ? Kompaktbauweise ? insulated gate bipolar transistor ?

Region: Bayern

Bounding box: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• AMIC Angewandte Micro-Messtechnik GmbH (Mitwirkende)
• Bundesministerium für Bildung und Forschung (Bereitsteller*in)
• Conti Temic microelectronic GmbH (Mitwirkende)
• Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG, Contact Materials Division (Mitwirkende)
• Infineon (Betreiber*in)
• Mercedes-Benz Group AG (Mitwirkende)
• Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen University, Institut für Stromrichtertechnik und Elektrische Antriebe (Mitwirkende)
• Schweizer Electronic (Mitwirkende)
• Technische Universität Berlin, Institut für Hochfrequenz- und Halbleiter-Systemtechnologien, Forschungsschwerpunkt Technologien der Mikroperipherik (Mitwirkende)
• Umweltbundesamt (Bereitsteller*in)

Time ranges: 2011-09-01 - 2014-11-30

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://www.tib.eu/de/filter?repno=16N11655 (Webseite)

Status

Aktiv

Quality score

• Overall: 0.44
• Findability: 0.57

  • Description: 0.32
  • Identifier: false
  • Keywords: 0.82
  • Spatial: RegionIdentified (1.00)
  • Temporal: true
• Accessibility: 0.50

  • Landing page: Unknown (0.00)
  • Direct access: false
  • Publicly accessible: true
• Interoperability: 0.00

  • Open file format: false
  • Media type: false
  • Machine-readable metadata: false
  • Machine-readable data: false
• Reusability: 0.67

  • License: ClearlySpecifiedAndFree (1.00)
  • Contact info: false
  • Publisher info: true

Accessed 1 times.