Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Robuster und niederinduktiver HV-SiC-Powerstack für skalierbare und hochintegrierte MS-Umrichter^Teilvorhaben: Entwicklung und Test eines Demonstrators für ein Bahnantriebssystem auf Basis hochsperrender SiC-Halbleiter^HVSiCStack: Modulare Leistungselektronik auf Siliziumcarbidbasis für Hochspannungsanwendungen^Teilvorhaben: Niederinduktiver HighVoltage-SiC-Powerstack für hochintegrierte Mittelspannungsumrichter^Teilvorhaben: Robuster und niederinduktiver High-Voltage-SiC-Powerstack für hochintegrierte Mittelspannungsumrichter, Teilvorhaben: Entwicklung von Leistungsmodulen für die Mittelspannung" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt. Es wird/wurde ausgeführt durch: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG.Ziel des Vorhabens ist hochintegrierte und effiziente Leistungselektronik mit Hochvolt-SiC-Bauelementen von 6.5 kV bis 15 kV zu entwickeln. Es werden von Semikron zwei Demonstratorklassen von SiC-Halbleitermodulen entwickelt. Die Zielsetzungen hierbei sind Module mit 6.5 kV / 20 A und 15 kV / 6 A zu demonstrieren. Die zuverlässige Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT) im Modul mit Sinter-und Lötverbindungen sowie die niederinduktive Kontaktierung der SiC-Bauelemente sind bei diesen Spannungsklassen eine vollkommen neue Herausforderung. Neben dem Modulkonzept werden in der Anfangsphase Überlegungen auf der Basis von numerischen Simulationen der mechanischen und elektrischen Eigenschaften durchgeführt. Zur vereinfachten Parallelschaltung der SiC Schalter werden spezielle Supressordioden entwickelt. Nach dem die Entwicklung der AVT für 6,5kV und 15kV mit entsprechenden Material und Designkonzepten abgeschlossen ist, werden die Moduldemonstratoren in AP4 aufgebaut.
SupportProgram
Origins: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Sinterung ? Mittelspannungsnetz ? Elektronik ? Anorganische Siliziumverbindung ? Material ? Regeltechnik ? Mikroelektronik ? Modul ? Produktionstechnik ? Simulationsmodell ? Verfahrenstechnik ? Bauelement ? Halbleiter ? Raumfahrt ? Technische Aspekte ? Physikalische Größe ? Carbid ? Effizienztechnologie ? Prototyp ? Siliziumcarbid ? Supressordiode ?
Region: Bayern
Bounding boxes: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2017-02-01 - 2020-07-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=16ES0597K (Webseite)Accessed 1 times.