Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Erforschung einer MOCVD-Technologie für die industrielle Herstellung von GaN-basierten HV-Bauelementen für die Leistungselektronik" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von AIXTRON SE durchgeführt. 1. Vorhabenziel Ziel des Teilvorhabens ist die Erarbeitung einer MOCVD Anlagen- und prozesstechnologie für die Abscheidung von HEMT-Strukturen auf Si-Substraten in Multiwafer Anlagen. 2. Arbeitsplanung Der heutige Stand der GaN-Produktionstechnik ist die MOCVD von komplexen Bauelementstrukturen in 42x2 Zoll Planetenreaktoren. Nach der erfolgreichen Erforschung von MOVCD-Prozessen auf 14x100 mm Si-Substraten in einem neuen, vorhandenen MOCVD Reaktor, wird auch die Abscheidung auf 8x150 mm bzw. 5x200 mm etabliert und auf bis zu 1x300 mm Substraten evaluiert. Auf der Basis der erzielten Prozessergebnisse werden die Reaktoren hinsichtlich Reproduzierbarkeit der Ergebnisse und Ausbeute an 'guten' Wafern pro Abscheidung optimiert werden.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Substrat ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Silizium ? Anlagenoptimierung ? Beschichtung ? Abscheidung ? Reaktor ? Verfahrenstechnik ? Wirtschaftlichkeit ? Bauelement ? Halbleiter ? MOCVD-Technologie ?
Region: Nordrhein-Westfalen
Bounding box: 6.76339° .. 6.76339° x 51.21895° .. 51.21895°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2010-05-01 - 2013-04-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10729 (Webseite)Accessed 1 times.