Description: Das Projekt "Gettern metallischer Verunreinigungen in kristallinem Silizium für Solarzellen: neue Materialien und Prozesse - Teilprojekt 4" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Göttingen, Physikalisches Institut IV durchgeführt. Dieses Projekt verfolgt als zentrales Ziel, Bedingungen für effektive Getterschritte unter den veränderten Randbedingungen alternativer Ausgangsmaterialien und schneller Prozesse im Bereich der Silizium-Photovoltaik zu erarbeiten. Aufbauend auf der eingehenden Charakterisierung mikrostruktureller Eigenschaften der Silizium-Wafer (Dichte und Verteilung ausgedehnter Defekte und wichtiger Verunreinigungen) sollen zum einen gezielte Experimente zur Umverteilung metallischer Verunreinigungen sowie zu ihrer Anlagerung an ausgedehnte Defekte durchgeführt werden; hierfür werden hochauflösende und analytische Elektronenmikroskopie, DLTS, temperaturabhängiges LBIC und SIMS eingesetzt. Zum anderen soll die in der Mikroelektronik weit verbreitete Strategie der Prozesssimulation in der Anwendung auf Getterverfahren fortgesetzt werden. Hierzu wird der in der vorangegangenen Antragsperiode entwickelte 'Gettersimulator' verwendet und für die neuen Problemstellungen erweitert. Ferner ist vorgesehen, einige neu zu entwickelnde quantitative Beschreibungen der elektrischen Eigenschaften dekorierter ausgedehnter Defekte in das Simulationsprogramm zu integrieren.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Göttingen ? Werkstoff ? Photovoltaikanlage ? Silizium ? Solarzelle ? Temperaturabhängigkeit ? Elektronenmikroskopie ? Material ? Solartechnik ? Alternativtechnologie ? Energietechnik ? Mikroelektronik ? Mineralogie ? Simulation ? Verunreinigung ? Gettern ? LBIC ? SIMS ? Silizium-Wafer ?
Region: Lower Saxony
Bounding box: 9.16667° .. 9.16667° x 52.83333° .. 52.83333°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2002-10-01 - 2005-09-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=0329846B (Webseite)Accessed 1 times.