Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Integrierte, hocheffiziente Leistungselektronik für den Einsatz in der automotiven Leistungselektronik" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Robert Bosch GmbH durchgeführt. Die hervorragenden Eigenschaften von Galliumnitrid ermöglichen es, Bauteile mit kleineren Schalt- und Durchlassverlusten und schnelleren Schaltgeschwindigkeiten herzustellen. Daneben bieten die lateral aufgebauten GaN-Transistoren, im Gegensatz zu vertikal aufgebauten Si- oder SiC-Leistungsbauteilen, die Möglichkeit Leistungsbauelemente monolithisch zu integrieren. Die Konzepte hier sind vielfältig und reichen von monolithisch integrierten Halbbrücken bis hin zur Integration von z.B. Temperatursensor und Gatetreiber. Das Verbundprojekt GaNial hat sich zum Ziel gesetzt, integrierte GaN-Halbleiterbauelemente zu entwickeln und deren Einsatz in Forschungsmustern zu zeigen. Im Teilvorhaben 'Integrierte hocheffiziente Leistungselektronik für den Einsatz in der Automotive Leistungselektronik' der Robert Bosch GmbH sollen die Vorteile der GaN-Leistungsbauelemente mit monolithisch integrierten Funktionalitäten aufgezeigt werden. Dies soll anhand eines DCDC-Wandler-Forschungsmusters geschehen. Dabei deckt die Robert Bosch GmbH im Konsortium von der Aufbau- und Verbindungstechnik bis hin zum Aufbau eines Forschungsmusters ein breites Spektrum ab und wird in dieser Rolle auch die Projektpartner unterstützen.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Galliumnitrid ? Elektronik ? Anlagenoptimierung ? Elektrotechnik ? Regeltechnik ? Bautechnik ? Elektrofahrzeug ? Fahrzeugtechnik ? Produktionstechnik ? Elektromobilität ? Bauelement ? Halbleiter ? Technische Aspekte ? Effizienzsteigerung ? Mikrotechnik ? DCDC-Wandler ? Umweltfreundliches Auto ?
Region: Baden-Württemberg
Bounding box: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2016-10-01 - 2019-09-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=16EMO0216 (Webseite)Accessed 1 times.