Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Simulation und Erforschung des PSD-Prozesses für InGaN-basierende LEDs" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von OSRAM Opto Semiconductors GmbH durchgeführt. Ziel des Teilvorhabens ist die Erforschung der Eignung des PSD (Pulsed-Sputter-Deposition)-Prozesses für die Produktion von GaN-basierenden optoelektronischen Bauelementen. Dazu trägt es auf folgende Weise bei: - Unterstützung der Prozessentwicklung und des Kammerdesigns durch Simulation - Bereitstellung von MOVPE-Teilstrukturen und Überwachsen von PSD-Teilstrukturen zu vollständigen LEDs - Charakterisierung von hybriden und reinen PSD Wafern - Prozessierung der Wafer zu LED-Bauelementen - Messung der elektrooptischen Parameter - Spezifikation einer PSD-Prototypanlage Durch die angestrebte Herstellung von hochwertigen LED-Strukturen mittels PSD kann der kosten- und investintensive MOVPE-Prozess durch die ressourcenschonendere PSD-Epitaxie ersetzt werden. In diesem Teilvorhaben soll durch Simulation des PSD-Prozesses ein grundlegendes Verständnis der physikalisch-chemischen Vorgänge in der Gasphase und auf der Waferoberfläche generiert und dadurch die Prozessentwicklung durch die universitären Projektpartner beschleunigt werden. Desweiteren werden den Projektpartnern GaN-Schichten zur Verfügung gestellt, um homoepitaktische Schichten mittels PSD darauf abzuscheiden. Nach der Optimierung von Einzelschichten werden sowohl LED-Teilstrukturen zum Überwachsen mit PSD bereitgestellt sowie mittels PSD hergestellte LED-Teilstrukturen durch Überwachsen mit MOVPE-Schichten zu LED-Strukturen vervollständigt. Diese Schichtstapel werden bei OSRAM OS auf Waferebene charakterisiert und durch Vergleich mit reinen MOVPE-Strukturen bewertet. Für eine fundierte Bewertung der Qualität von PSD-Schichten müssen hybride oder reine PSD-Strukturen zu Dünnfilm-LED-Bauteilen prozessiert und umfassend elektrooptisch charakterisiert werden. Abschließend soll zusammen mit Roth & Rau die Spezifikation für eine Demonstrator-PSD-Anlage stehen, die eine weitere Erforschung der Eignung des PSD Prozesses für eine Großvolumenproduktion ermöglichen soll.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Plasmatechnik ? Leuchtdiode ? Galliumnitrid ? Photonik ? Metallorganische Verbindung ? Verfahrensoptimierung ? Beschichtung ? Gasförmiger Stoff ? Abscheidung ? Investitionskosten ? Kostensenkung ? Kristallisation ? Produktionskosten ? Simulation ? Verfahrenstechnik ? Vergleichende Bewertung ? Bauelement ? Chemische Reaktion ? Halbleiter ? Versuchsanlage ? Hybridisierung ? Physikalische Größe ? Physikalischer Vorgang ? Ablagerung ? Metallorganische Gasphasenepitaxie ? Pulsed-Sputter-Deposition-Verfahren ?
Region: Bayern
Bounding box: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2014-07-01 - 2018-06-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=13N13144 (Webseite)Accessed 1 times.