Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Fertigungstechnologie für Leistungsdioden und Leistungsschalter in GaN-auf-Silizium Technologie" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von MicroGaN GmbH durchgeführt. Ziel dieses Vorhabens ist die mit Kooperationspartnern gemeinsame Erforschung von neuartigen Leistungsbauelementen mit bestmöglicher Energieeffizienz für den Massenmarkt ohne nennenswerte Zusatzkosten auf Systemebene. Im Projekt ist vorgesehen, bei MicroGaN in mehreren Prozessläufen auf Basis des Materialsystems GaN und der Vorarbeiten 2-Tor-Bauelemente (Dioden) und 3-Tor-Bauelemente (Schalter) für hoch effiziente Leistungsanwendungen herzustellen und zu verbessern, so dass marktfähige Spezifikationen der Bauelemente erreicht werden. Ein Vergleich bzw. Benchmarking zu konventionellen Technologien ist vorgesehen. Zur Etablierung dieser neuartigen Technologie sollen im Rahmen des Projektes Optimierungsansätze (Layout, Materialien usw.) auf ihre Eignung untersucht sowie geeignete Fertigungstechnologien erarbeitet werden, die eine kostengünstige Massenfertigung ermöglichen und somit eine spätere Vermarktung der Ergebnisse und Bauelemente für Einführung in energieeffiziente Systeme erlauben.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Silizium ? Materialprüfung ? Energieeffizienztechnik ? Produktionskosten ? Produktionstechnik ? Werkstoffkunde ? Wirtschaftlichkeit ? Energieeffizienz ? Benchmarking ? Bauelement ? Halbleiter ? Effizienzsteigerung ? GaN-Technologie ?
Region: Baden-Württemberg
Bounding box: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2010-05-01 - 2013-04-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10727 (Webseite)Accessed 1 times.