Teilvorhaben: Technologie- und Bauelementeentwicklung sowie Assessment von SiC und GaN/Si-Bauelementen^Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf der Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke (NeuLand)^Teilvorhaben: Defektreduzierte 4H-SiC-Wafer für Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz^Teilvorhaben: MOVPE-Schichttechnologie für Leistungsdioden und Leistungsschalter^Teilvorhaben: Erforschung einer MOCVD-Technologie für die industrielle Herstellung von GaN-basierten HV-Bauelementen für die Leistungselektronik, Teilvorhaben: Fertigungstechnologie für Leistungsdioden und Leistungsschalter in GaN-auf-Silizium Technologie

SupportProgram

Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Galliumnitrid ? Elektronik ? Gallium ? Silizium ? Materialprüfung ? Produktionskosten ? Produktionstechnik ? Wirtschaftlichkeit ? Energieeffizienz ? Bauelement ? Effizienzsteigerung ? GaN-Technologie ? Halbleiter ? Werkstoffkunde ?

Region: Baden-Württemberg

Bounding boxes: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• AIXTRON SE (Mitwirkung)
• AZZURRO Semiconductors AG (Mitwirkung)
• Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt (Finanzielle Förderung)
• Infineon (Mitwirkung)
• MicroGaN GmbH (Projektverantwortung)
• SMA Solar Technology (Mitwirkung)
• SiCrystal AG (Mitwirkung)
• Umweltbundesamt (Bereitstellung)

Time ranges: 2010-05-01 - 2013-04-30

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10727 (Webseite)

Status

Aktiv

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