Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Entwicklung hocheffizienter Laserbarren für höchste Ausgangsleistung" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von OSRAM Opto Semiconductors GmbH durchgeführt. Ziel des TV ist die Demonstration von Halbleiterlaserbarren, welche höchste Effizienzen mit sehr hohen Ausgangsleistungen kombinieren sollen. Mithilfe neuer Simulationsmodule sollen das Verständnis und Lösungsansätze hierfür entwickelt werden, die dem hohen thermischen Übersprechen der einzelnen Emitter von Hochfüllfaktorbarren Rechnung tragen, um so die weltweit beobachtete Effizienzbarriere bei diesen Bedingungen überwinden zu können. Grundlegend für die Arbeiten in diesem TV ist es, das physikalische Verhalten der Laserbarren bei höchsten Leistungen und Leistungsdichten in Simulationsmodulen abbilden zu können, um so die Ansatzpunkte für eine Effizienz- und Divergenzverbesserung herauszuarbeiten. Das Aufsetzen und die iterative Verifizierung und Anpassung einer geeigneten Simulationssoftware anhand von mehreren Generationen an Laserstrukturen ist daher wesentlicher Bestandteil der Arbeitspakete. Für die Steigerung der Effizienz der Laserstrukturen wird der Schichtaufbau des Wellenleiters in mehreren Iterationen signifikant geändert werden müssen, was wiederum Einfluss auf die Leistungsgrenzen des Lasers an der Facette als auch im Bulk-Material hat. Um eine ausreichende Lebensdauer gewährleisten zu können, soll der Einfluss unterschiedlicher Epitaxie-Designs auf die Leistungsgrenzen des Lasers untersucht werden. Das Chipdesign der Laser soll hinsichtlich der Barreneffizienz optimiert werden sowie Elemente zur Strahlformung entwickelt werden, mit deren Hilfe die u.a. thermisch bedingte laterale Strahlaufweitung begrenzt wird, um so die Divergenzanforderungen zu erfüllen. Neben der Bereitstellung der Leistungswerte bei der bisher nicht etablierten Wellenlänge von 1000nm müssen die Ergebnisse auch auf eine Wellenlänge von 1020nm übertragen werden, um die nötigen Gesamtleistungen im Konverterlaser zu ermöglichen.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Halbleiterlaser ? Photonik ? Laser ? Material ? Betriebsdaten ? Emissionsquelle ? Software ? Produktionstechnik ? Simulationsmodell ? Werkstoffkunde ? Halbleiter ? Technischer Fortschritt ? Physikalischer Vorgang ? Effizienzsteigerung ? Epitaxie ? Konverterlaser ? Laserbarren ? Lebensdauer [Technik] ? Leistungsdichte ? Wellenlänge ? Wärmefluss ?
Region: Bayern
Bounding box: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2016-03-01 - 2019-02-28
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=13N13912 (Webseite)Accessed 1 times.