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Verbundprojekt 2: Bestrahlungsfester GaAlN Photodetektor für den VUV - Spektralbereich - Teilprojekt 3: Entwicklung von Epitaxieprozessen und Prozessierungsschritten für VUV-Photodetektor

Description: Das Projekt "Verbundprojekt 2: Bestrahlungsfester GaAlN Photodetektor für den VUV - Spektralbereich - Teilprojekt 3: Entwicklung von Epitaxieprozessen und Prozessierungsschritten für VUV-Photodetektor" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik im Forschungsverbund Berlin e.V. durchgeführt. Gesamtziel des Verbundvorhabens ist die Entwicklung von UV- und VUV-Photodetektoren auf der Basis von AlGaN. Diese Detektoren sollen eine Photoempfindlichkeit von größer als 0.08 A/W und Dunkelströme kleiner als 10 pA aufweisen. Sie sollen kurzwellige Bestrahlung (172 nm) mit 10 mW/cm2 über 100 h überstehen. Es werden Schichtstrukturen mit hohem Al-Gehalt für VUV-Detektoren entwickelt. Mit diesen Schichten wird ein Prozess für MSM-Photodioden entwickelt und die Prozessentwicklung für Schottky-Kontakt-PD wird mit Teilschrittentwicklungen unterstützt. Die Beschichtung von Bauelementstrukturen zum Schutz vor Degradation wird in die komplette Prozesskette integriert.

Types:

SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Aluminiumgehalt ? Messgerät ? Berlin ? Sensor ? UV-Strahlung ? Messtechnik ? Spektralanalyse ? Bestrahlung ? Beschichtung ? Verfahrenstechnik ? Oberflächenbehandlung ? Abbau ? Bauelement ? Spektrum ? Wellenlänge ?

Region: Berlin

Bounding box: 10.44987° .. 10.44987° x 54.03573° .. 54.03573°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2010-07-01 - 2013-06-30

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