Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Robuste Aufbau- und Verbindungstechniken für GaN Leistungshalbleiter" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Robert Bosch GmbH durchgeführt. 1. Vorhabenziel 'Sog. wide-band-gab Leistungshalbleiter sind für hohe Betriebstemperaturen (200 Grad C kleiner als Tjunction kleiner als 250 Grad C), schnelles Schalten und minimale Verluste in leistungselektronischen Anwendungen unabdingbar. Dabei ist eine Entscheidung der zueinander im Wettbewerb stehenden Leistungshalbleiterarten SiC und GaN noch offen. Für GaN spricht zum einen die Möglichkeit auf den sehr kostengünstigen Si-Wafern dargestellt zu werden. Allerdings werden ggü. den sog. vertikalen (bezügl. Stromtransport) Bauelemente dann typischerweise sog. laterale Bauelemente aufgebaut. Dies bedingt mehrere notwendige Anpassungen für die Aufbau- und Verbindungstechnik: Flip-Chip-artige Kontakte sind mit den hochtemperaturstabilen Verfahren Silbersintern oder alternativ Diffusionslöten darzustellen. Die Modulkonzepte in Ausrichtung auf Substrat und thermisches Management gilt es auf doppelseitige Fügekonzepte abzustimmen. Für die max. Robustheit müssen auch die Chip-Metallisierungen hierfür angepasst werden. Die Verifizierung über die Eignung erfolgt in verschiedenen Erprobungsroutinen, wie dem Power Cycling und unter passiven Temperaturwechsel. - 2. Arbeitsplanung - Wide-band-gap Leistungsschalter gehört die Zukunft für maximale Leistungsdichten und Wirkungsgrade. Dies zeigt sich in den Systemen Photovoltaik-Inverter oder für die Automobilen Anwendungen (EV,PHEV) Hochsetzsteller bzw. DC/DC, Charger und Inv. Daher sind die Systemadressaten Power Tec und GS-EH. Für die Entwicklung und die Fertigung leistungselektronischer Baugruppe ist AE zuständig.
Types:
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Sinterung ? Silber ? Substrat ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Photovoltaik ? Metallischer Werkstoff ? Regeltechnik ? Temperatur ? Beschichtung ? Stromtransport ? Elektrofahrzeug ? Energie ? Modul ? Produktionstechnik ? Vergleichsanalyse ? Wirkungsgrad ? Thermisches Verfahren ? Energieeffizienz ? Elektromobilität ? Bauelement ? Halbleiter ? Betriebsparameter ? Diffusionslöten ? Leistungsdichte ?
Region: Baden-Württemberg
Bounding box: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2013-10-01 - 2017-02-28
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=16ES0025 (Webseite)Accessed 1 times.