Das Projekt "Teilvorhaben: Abscheidung von passivierenden amorphen Siliziumschichten mittels APCVD und nasschemische Erzeugung von Grenzflächenoxiden" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Gebr. Schmid GmbH durchgeführt. Im Vorhaben KOMPASS sollen die poly-Si/c-Si Übergänge mit Grenzflächenoxid zur Herstellung von rekombinationsarmen Si-Solarzellen den bisherigen rückseitigen Basiskontakt von sowohl p-Typ als auch n-Typ Solarzellen ersetzen. Gleichzeitig soll während der Temperaturbehandlung des Grenzflächenoxids und der Herstellung des poly-Si aus dem a-Si der vorderseitige Emitter durch Diffusion aus einer CVD-Quelle erfolgen. Um diese Art Heteroübergänge in gegenwärtige produktionsrelevante Solarzellenprozesse zu integrieren, soll im Vorhaben KOMPASS erstmals APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) anstatt PECVD (Plasma Enhanced CVD) zur poly-Si-Abscheidung eingesetzt werden. Aufgrund des nicht notwendigen Vakuums ist die APCVD-Technologie, die vom Projektpartner SCHMID bereits für andere Anwendungen kommerzialisiert wurde, potentiell günstiger als PECVD. Das Gesamtziel dieses Vorhabens ist es daher, kostengünstige Prozesse für n-dotierte und p-dotierte poly-Si Schichten unter Verwendung von APCVD-Prozessen zu entwickeln, die eine signifikante Reduktion der Rekombinationsstromdichten der passivierten und metallisierten Bereiche erlauben.