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Einsatz von kontinuierlichen VHF-Plasma-CVD (Linienquelle) zur Deposition von a-Si:H/myc-Si:H-Solarzellen, Teilvorhaben: 'Technische Anpassung des VHF-Plasma-CVD-Gerätes an Dünnschicht-Si-Solarzellen-Prozesse'

Das Projekt befasst sich mit der Deposition von Dünnschicht-Silizium Solarzellen mit einer neuartigen Depositionsmethode, der kontinuierlichen (dynamischen) Beschichtung mit Hilfe einer Very High Frequency Linienquelle. Dieses Verfahren, bei dem das zu beschichtende Substrat an einer oder mehreren Plasmaquellen vorbeifährt, ist ein vielversprechendes Konzept. Es ermöglicht die Aufskalierung der VHF Deposition auf quadratmetergroße Flächen. Eine kontinuierliche Beschichtung könnte zu einer deutlichen Produktivitätssteigerung und Kostenreduzierung der Dünnschicht-Si-Solarzellen führen. In Zusammenarbeit mit VAAT (Dresden) werden die Quellen und der Reaktionsraum so konstruiert, dass hohe Schichtqualitäten und eine hohe Produktivität erreicht werden.

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