Das Projekt "Praeparation von grobkoernig-polykristallinen Duennschichten fuer Solarzellen aus Silizium" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V. durchgeführt. In dem vorgeschlagenen Projekt sollen fuer Solarzellen Duennschichten aus grobkoernig polykristallinem Silizium in einem Niedertemperaturprozess auf Glas, Stahlblech oder auf metallisiertem Glas hergestellt werden. Hierfuer ist ein dreistufiges Verfahren vorgesehen. In der ersten Stufe soll mit einem plasmainduzierten CVD-Prozess eine 10 nm bis 500 nm Dicke Schicht aus amorphem Silizium abgeschieden werden. Im zweiten Schritt soll diese durch Laserbestrahlung kristallisiert werden, wobei Korngroessen von ca. 100 mym angestrebt werden. In einem dritten Schritt soll auf dieser Primaerschicht durch epitaktisches Wachstum weiteres Silizium abgeschieden werden, bis die fuer kristalline Solarzellen erforderliche Schichtdicke (max. 50 mym) erreicht ist. Die Substrattemperaturen sollen waehrend des gesamten Prozesses 500 Grad Celsius nicht ueberschreiten.