Das Projekt "Loesungszuechtung von kristallinen Silizium-Duennschichtsystemen auf Fremdsubstraten zur Verwendung in Solarzellen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften, Max-Planck-Institut für Festkörperforschung durchgeführt. Multikristalline Siliziumschichten hoher Qualitaet sollen mit der Methode der Fluessigphasenepitaxie auf einfach herzustellenden, preiswerten Fremdsubstraten abgeschieden werden. Als Substrate werden systematisch verschiedene Glaeser und Metalle erprobt, die mittels Ionenstrahltechniken mit duennen Bekeimungs- und Vermittlerschichten versehen sind. Alle Prozesse sollen bei Temperaturen unter 700 Grad Celsius durchgefuehrt werden. Moeglichkeiten zur Verarbeitung der so gewonnenen Schichtsysteme zu Solarzellen hoher Effizienz werden untersucht. Der Schichtaufbau enthaelt die Kontaktierung und Verschaltmoeglichkeit der Zellen. Umfangreiche Charakterisierungen, insbesondere mit elektronenmikroskopischen, aber auch optischen und elektrischen Methoden, ermoeglichen die Beurteilung der hergestellten Systeme und ihre Tauglichkeit fuer Solarzellen.
Das Projekt "Kristallines Silizium fuer Duennschichtsolarzellen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Forschungszentrum Jülich GmbH, Institut für Schicht- und Ionentechnik durchgeführt. Das Vorhaben beinhaltet die Entwicklung einer Duennschichtsolarzelle aus feinkristallinem Silizium auf kostenguenstigen Fremdsubstraten, geeignet fuer grossflaechige Anwendungen und herstellbar mit Niedertemperaturprozessen. Die Zelle soll als Bottomzelle in der Stapelstruktur a-Si/c-Si eingesetzt werden (Konzept der integrierten Zelle) und den langwelligen Teil des solaren Spektrums effektiv nutzen. Fuer die Herstellung feinkristalliner Absorberschichten sowie dotierter Funktionsschichten sind Entwicklungsarbeiten hinsichtlich Nukleation auf Fremdsubstraten, kristallines Wachstum mit hinreichend hohen Raten sowie Untersuchungen der strukturellen und optoelektronischen Eigenschaften notwendig. Zur Bestimmung der Solarzelleneigenschaften werden Strom- Spannungsmessungen und spektrale Quantenausbeute eingesetzt sowie zum detaillierten Verstaendnis Simulationsrechnungen durchgefuehrt. Die Entwicklung von Wellenleiterstrukturen zielt auf die Verwendung moeglichst duenner Absorberschichten hin.