Das Projekt "Glancing Angle Deposition von Si-Ge-Nanosäulen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. durchgeführt. Im Teilvorhaben 'Glancing Angle Deposition von Si-Ge-Nanosäulen' sollen sowohl Säulen als auch andere Nanostrukturen (Chevrons, Spiralen) im Sandwichprinzip durch alternierenden Teilchenfluss von Si und Ge auf entsprechend vorstrukturierten Substraten unter den Bedingungen des streifenden Einfalls und der Rotation des Substrats gezielt deponiert werden. Dieses Verfahren erlaubt es periodisch angeordnete Strukturen auf vorstrukturierten Substraten abzuscheiden und zu dotieren. Durch Variation der experimentellen Parameter bei der Herstellung der Vorstruktur, der Deposition der Nanostrukturen und der thermischen Nachbehandlung sollen die thermoelektrischen Eigenschaften dieser Strukturen mit dem Ziel am Ende des Vorhabens das Design für ein thermoelektrisches Bauelement vorschlagen zu können, untersucht und optimiert werden. Für die Herstellung der Si- bzw. Si-Ge-Nanosäulen wird eine geeignete UHV-Anlage konzipiert, aufgebaut und betrieben werden. Mit dieser Anlage soll die Herstellung von Ge-Strukturen und von Si-Ge-Strukturen auf unstrukturierten und vorstrukturierten Substraten in Abhängigkeit von den Herstellungsbedingungen, der Strukturierung und der thermischen Nachbehandlung untersucht und hinsichtlich der thermoelektrischen Eigenschaften optimiert werden. Zur in-situ-Dotierung der Si-Ge-Nanosäulen mit n- oder p-Typ-Dotanden wird ein geeignetes Verfahren entwickelt. Parallel die Bedingungen aufgeklärt werden unter den eine Kontaktierung der Strukturen möglich ist.