Das Projekt "Entwicklung wissenschaftlicher und technischer Grundlagen fuer die Herstellung von Duennschichtsolarzellen auf der Basis des a-Si:H und myc-Si:H mit der 'Hot-Wire'-Depositionstechnik" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Rheinland-Pfälzische Technische Universität Kaiserslautern-Landau, Fachbereich Physik durchgeführt. Im derzeit laufenden Projekt ist trotz unguenstiger Randbedingungen nachgewiesen worden, dass hocheffiziente a-Si-Duennschichtsolarzellen (n = 10,4 v.H.) mit den 'Hot-Wire'-(HW)-Verfahren hergestellt werden koennen. Der HW-Depositionsprozess weist zahlreiche Vorteile fuer die industrielle Abscheidung von a-Si-basierenden Duennschichtsolarzellen auf (einfache Geraeteausruestung, hohe Depositionsrate fuer 'device quality'-Material, stabilere Schichten, keine Plasmainstabilitaeten, grosse Flexibilitaet bei der Schichtabscheidung und Grenzflaechengestaltung). Mit einer Mehrkammeranlage sollen Einfach- und Stapelzellen mit grossem stabilisierten Wirkungsgrad und hoher Depositionsrate abgeschieden werden. Die Integration von mikrokristallinen Teilzellen in eine Stapelstruktur soll erprobt werden. Die technisch-praktische Relevanz des HW-Verfahrens soll durch eine grossflaechige (30 x 30 cm2) Abscheidung von Pin-Zellen (mit n = 10 v.H.) nachgewiesen werden. Aufgrund der extremen Empfindlichkeit bei der Gestaltung von Grenzflaechen (Wachstumskontrolle mit der In-situ-Ellipsometrie) sollten mit der aufzubauenden Apparatur auch c-Si/a-Si-Heterostruktur-Solarzellen optimal gestaltet werden koennen. Die Einsetzbarkeit des HW-Verfahrens fuer die Herstellung von HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer)-Zellen mit n = 20 v.H. soll deshalb getestet werden. Aufbauend auf den positiven Ergebnissen des vorangehenden Projektes (prinzipielle Machbarkeitsstudie) sollen alle a-Si:H/myc - Si:H - Halbleiterschichten von Duennschichtsolarzellen mit den sog. 'Hot-Wire'-Verfahren hergestellt werden. Es sollen sowohl Einfach- als auch Stapelzellen mit pin- und nip-Struktur erforscht und entwickelt werden. Es wird ein Wirkungsgrad von etwa groesser 10 Prozent angestrebt. Ausserdem soll nachgewiesen werden, dass das Verfahren auch eine adaequate Abscheidung auf grossen Flaechen ermoeglicht (technisch-praktische Relevanz). Auch die Einsetzbarkeit des Verfahrens fuer die Herstellung von effizienten c-Si/a-Si-Heterostruktur-Solarzellen soll getestet werden.