Das Projekt "Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - ortsaufgeloeste Untersuchungen von Korngrenzen und Versetzungen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Köln, II. Physikalisches Institut durchgeführt. Im Rahmen eines Gemeinschaftsvorhabens 'Defekte in multikristallinem Silicium' soll der Einfluss von Defekten in Silicium mehrerer Hersteller und der Einfluss verschiedener Solarzellen-Technologien auf die elektrischen Eigenschaften der Solarzellen untersucht werden. An diesem Vorhaben sind sieben weitere Forschungseinrichtungen beteiligt. Mehrere Industriepartner sind assoziiert. Das II. physikalische Institut der Universitaet Koeln uebernimmt in diesem Vorhaben folgende Aufgaben: Durchfuehrung von Untersuchungen - der raeumlichen Verteilung von Versetzungen (Aetzen, TEM), - von Ausscheidungen an Versetzungen und Korngrenzen (TEM), - der Defektanreicherung an Korngrenzen und ihrer Wirkung auf die lokale Ladungstraeger-Rekombination (Korngrenzen-EBIC, Photoleitwertspektroskopie), - des Einflusses des Phosphors an Korngrenzen und im Bulk auf die Solarzellenparameter und die Korngrenzen-Eigenschaften mittels EBIC und ESR, - der elektrischen Aktivitaet von Versetzungen im korninneren in verschiedenen Ausgangsmaterialien und in prozessierten Solarzellen (EBIC).