Das Projekt "Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - Nachweis, Verteilung und gezielte Umverteilung von Fremdatomen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Göttingen, Physikalisches Institut IV durchgeführt. Im Rahmen eines Gemeinschaftsvorhabens 'Defekte in kristallinem Silizium' soll der Einfluss von Defekten in Silizium mehrerer Hersteller und der Einfluss verschiedener Solarzellentechnologien auf die elektrischen Eigenschaften der Solarzellen untersucht werden. An diesem Vorhaben sind sieben weitere Forschungseinrichtungen beteiligt. Mehrere Industriepartner sind assoziiert. Das IV. Physikalische Institut der Universitaet Goettingen soll die Identitaet und die raeumliche Verteilung von Fremdatomen und ihren Ausscheidungen sowie deren elektrische Eigenschaften untersuchen und mit den Diffussionslaengen der Minoritaetsladungstraeger korrelieren. Ferner sollen verschiedene Getterverfahren entwickelt und eingesetzt werden, um eine gezielte Umverteilung der Verunreinigungen aus den Bereichen der Proben, die die Funktion der Solarzellen beeinflussen, in solche Bereiche, die keinen Einfluss haben, zu erreichen.
Das Projekt "Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - ortsaufgeloeste Untersuchungen von Korngrenzen und Versetzungen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Köln, II. Physikalisches Institut durchgeführt. Im Rahmen eines Gemeinschaftsvorhabens 'Defekte in multikristallinem Silicium' soll der Einfluss von Defekten in Silicium mehrerer Hersteller und der Einfluss verschiedener Solarzellen-Technologien auf die elektrischen Eigenschaften der Solarzellen untersucht werden. An diesem Vorhaben sind sieben weitere Forschungseinrichtungen beteiligt. Mehrere Industriepartner sind assoziiert. Das II. physikalische Institut der Universitaet Koeln uebernimmt in diesem Vorhaben folgende Aufgaben: Durchfuehrung von Untersuchungen - der raeumlichen Verteilung von Versetzungen (Aetzen, TEM), - von Ausscheidungen an Versetzungen und Korngrenzen (TEM), - der Defektanreicherung an Korngrenzen und ihrer Wirkung auf die lokale Ladungstraeger-Rekombination (Korngrenzen-EBIC, Photoleitwertspektroskopie), - des Einflusses des Phosphors an Korngrenzen und im Bulk auf die Solarzellenparameter und die Korngrenzen-Eigenschaften mittels EBIC und ESR, - der elektrischen Aktivitaet von Versetzungen im korninneren in verschiedenen Ausgangsmaterialien und in prozessierten Solarzellen (EBIC).
Das Projekt "Eigenschaften von SiGe-Legierungen fuer Solarzellen, Rekombinationsaktivitaet und Versetzungen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Institut für Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH (IHP) durchgeführt. SiGe-Legierungen gelten als moegliches Halbleitermaterial fuer Solarzellen mit verbessertem Wirkungsgrad. Aus Kostengruenden wird fuer photovoltaische Anwendungen haeufig defektreiches, multikristallines Material eingesetzt, so dass Kenntnisse zum Verhalten der Defekte von grossen Interesse sind. Ziel des Teilvorhabens war es daher, zu einem besseren Verstaendnis der Rekombinationseigenschaften von Defekten (SiGe und Si im Vergleich) beizutragen. Entwicklung und Testung von Methoden zur raeumlich aufgeloesten Materialcharakterisierung waren ebenfalls Gegenstand der Arbeiten. Es wurde nachgewiesen, dass metallische Kontamination von Defekten, insbesondere die Bildung von Metallsilicidausscheidungen, ein entscheidender Faktor fuer niedrige Lebensdauern ist. Die erzielten Ergebnisse lassen erwarten, dass sich kristallografische Defekte in SiGe mit Ge kleiner 10 Prozent aehnlich wie Defekte in Si verhalten, so dass Erfahrungen aus dem Si-Bereich auch fuer SiGe nutzbar sind.