Das Projekt "Teilprojekt 2: Defektwechselwirkungen bei der Herstellung und Prozessierung von multikristallinem Silizium: Simulationen und Experimente" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Göttingen, Physikalisches Institut IV durchgeführt. Übergeordnetes Ziel dieses Teilprojektes ist es, ein deutlich verbessertes grundlegendes Verständnis der Wechselwirkung von Defekten in multikristallinem Silicium, das unter hochreinen Bedingungen hergestellt wird, zu entwickeln, um Rückschlüsse auf das Wirkungsgradpotential derartiger Materialien im Vergleich zu monokristallinem Silicium zu bekommen. Hierdurch sollen wertvolle Erkenntnisse für strategische Entscheidungen über zukünftige Silicium-Materialien erarbeitet werden. Hierzu werden Methoden zur chemisch-strukturellen Charakterisierung rekombinationsaktiver Defekte wie temperaturvariables LBIC (T-LBIC), EBIC in Kombination mit FIB sowie hochauflösende und analytische TEM eingesetzt. Ferner stehen spektroskopische Kapazitätsmessungen (DLTS) zur Verfügung. Es werden Simulationen sowohl auf der Längenskala der Kontinuumsphysik als auch - im Rahmen eines Unterauftrags an Prof. T. Sinno, Pennsylvania State University in Philadelphia - auf der atomistischen Skala durchgeführt. Neben der Charakterisierung der im Rahmen von SolarWinS von Projektpartnern hergestellten Materialien und Solarzellen, sollen gezielt Hochtemperatur- und Getterschritte an diesen Materialien durchgeführt werden, um weitere Aufschlüsse über ihr Defektspektrum und ihre Prozesstauglichkeit zu erhalten. In einem weiteren Arbeitspunkt sollen Übergangsbereiche zwischen multikristallinem Silicium und Tiegel bzw. Tiegelbeschichtung untersucht werden.