Das Projekt "Technologien fuer Solarzellen aus III-V-Verbindungshalbleitern mit hoher Leistungsdichte und hohem Wirkungsgrad" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme durchgeführt. Gegenstand des geplanten Vorhabens ist die Entwicklung von kostenguenstigen, hocheffizienten Konzentrator-Solarzellen aus III-V-Verbindungs-Halbleitern. Neben Galliumarsenid-Zellen werden Tandemkonzentratorzellen der Systeme AlGa As/Si und GaAs/GaSb prozessiert werden. Diese Zellen sollen in ein Testarray eingebaut und im Freien erprobt werden. Die GaAs und AiGaAs-Solarzellenstrukturen werden mittels Fluessigkeitsphasenepitaxie (LPE) aufwachsen, wobei hauptsaechlich das LPE-Etchback-Regrowth (LPE-ER)-Verfahren zum Einsatz kommen wird, das sich durch Einfachheit und hohe Zuverlaessigkeit auszeichnet. Die im ISE entwickelte Multiwafer-Epitaxie soll so erweitert werden, dass 50ch Flaeche pro Epitaxielauf aufwachsen werden koennen. Fuer aufwendigere Schichtstrukturen werden Schichten nach dem MOCVD-Verfahren epitaxiert werden. Dies soll in Zusammenarbeit mit der Firma ASE und den Universitaeten Stuttgart und Freiburg erfolgen. Fuer die Herstellung von GaSb-Solarzellen-Schichtstrukturen wird in Zusammenarbeit mit dem OPFFE-Institut, St. Petersburg, ein neues Verfahren auf der Basis von Gasphasendiffusion entwickelt.