Das Projekt "Teilvorhaben: Tool-Basis & Industrie-Demonstrator" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von HSEB Dresden GmbH durchgeführt. Im Zuge der weiteren Miniaturisierung der Halbleiterstrukturtechnologie wächst die Bedeutung der Grenzflächen als Quelle von Strukturabweichungen und Defekten stetig. Auf Maskenebene sin die Linienrauhigkeit (Engl. Line-Edge Roughness = LER) und die Homogenität die zentralen Maskeneigenschaften welche die Leckströme des Chips und damit dessen Stromverbrauch beeinflussen. Im Rahmen des CoolMaskMetro-Verbundes sollen Prototypen für Masken mit in diesen beiden Parametern deutlich verbesserten Eigenschaften erforscht werden. Weiterhin sollen die Messtechniken für ihre Charakterisierung geschaffen werden. Das Ziel des HSEB-Teilthemas ist die Verifizierung der industriellen Nutzbarkeit der untersuchten Messtechniken durch Erstellen eines Industrie-Demonstrators mit den ellipsometrisch/scatterometrischen Messtechniken des Verbundes. Das Verfahren soll eine neue Ausführungsform der Ellipsometrie und Scatterometrie nutzen, wodurch die Auflösung um einen Faktor 10 verbessert wird und zusätzlich Daten gewonnen werden können. Das Ergebnis wird sowohl unmittelbar für die Masken-Prozessentwickung im Verbund als auch als Basis für eine Produktentwicklung bei HSEB nach Projektabschluss verwertet.
Das Projekt "Teilvorhaben: Modelle und Simulationen für die Charakterisierung von high-End Fotomasken (CoolMaskMetroSim)" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von NaMLab gGmbH durchgeführt. Auf Maskenebene sind die Uniformität und Linienrauigkeit (Engl. Line-Edge Roughness = LER) die zentralen Maskeneigenschaften welche die Leckströme des Chips und damit dessen Stromverbrauch beeinflussen. Für die zerstörungsfreie optische Inspektion und geometrische Oberflächencharakterisierung von Strukturen im entwickelten Fotolack der High-End Fotomasken soll das Potential einer lateralen hochauflösenden spektroskopischen Ellipsometrie/Scatterometrie mit einer Spotgröße von 10 Mikrometer erforscht werden. Eine im Vergleich zur konventionellen Ellipsometrie um den Faktor 10 erhöhte laterale Auflösung könnte die flächenmäßige Verkleinerung von Testfeldern auf High-End Fotomasken um zwei Größenordnungen gestatten und die Platzierung der Testfelder an relevanten Positionen innerhalb der Maske bzw. die direkte Messung der Maskenstrukturen ermöglichen. Gleichzeitig sollte die Forschung an entsprechend neuartigen theoretischen Modellen die Einsatzmöglichkeiten der Metrologie im Bereich Uniformität und LER verbreitern. Für die NaMLab gGmbH liegt der Fokus der Arbeiten im Bereich der Modellbildung und Simulation. Ziel des Teilprojektes ist es, gemeinsam mit dem Verbundpartner Sentech Modelle der optischen und geometrischen Eigenschaften der Maskenstrukturen zu erstellen, Simulationen und Messungen für die neuartige Ellipsometerkonfiguration durchzuführen und die Leistungsfähigkeit des Systems durch Vergleich mit etablierten Referenzmethoden zu bewerten.