Das Projekt "Si- und SiGe-Dünnfilme für thermoelektrische Anwendungen (SiGe-TE)" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Halle-Wittenberg, Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften durchgeführt. 1. Vorhabenziel Die technologischen Grundlagen für effiziente thermoelektrische Dünnschichtbauelemente auf Silicium- und Germaniumbasis stehen im Fokus. Hierfür soll das Potential der Nanostrukturierung zur Realisierung von Si- bzw. Si-Ge-basierten Dünnschichten gezielt eingesetzt und transferiert werden. Die Herausforderung des Projekts besteht in der Messung der relevanten Transportgrößen, die den Gütefaktor bestimmen. Diese müssen für die Schichtstrukturen thermoelektrischen Si-Strukturen, die eine erhebliche Steigerung der Effizienz aufweisen und herkömmliche Materialien ersetzen können. 2. Arbeitsplanung Die umfassende und vergleichende thermoelektrische und strukturelle Charakterisierung der von den Projektpartnern hergestellten Si- und Si-Ge-Schichtstrukturen ist das zentrale Element des Teilvorhabens. Die Messergebnisse werden genutzt, um Schlussfolgerungen für die Optimierung der Herstellungsparameter bzw. die generelle Anwendbarkeit der Methode zu ziehen. Neben der Charakterisierung besteht der zweite Aufgabenkomplex im TV 4 in der Bereitstellung von lithographischen Strukturierungstechniken für die Verbundpartner zur Herstellung von Nanostrukturen. Es soll gezeigt werden, dass sich die Effizienz von thermoelektrischen Si-basierten Materialien durch eine Nanostrukturierung als Nanosäulen entsprechend vorliegender theroretischer Konzepte und erster Messungen wesentlich verbessern lässt. Es sollen Teststrukturen hergestellt werden, die als Basis für eine zukünftige Entwicklung...